型号:

BS250P

品牌:DIODES(美台)
封装:TO-92-3
批次:24+
包装:标准卷带
重量:0.221g
其他:
BS250P 产品实物图片
BS250P 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 45V 230mA 1个P沟道 TO-92L-3
库存数量
库存:
5388
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.62
100+
2.1
1000+
1.88
2000+
1.76
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)45V
连续漏极电流(Id)230mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14Ω@10V,200mA
功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)60pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

BS250P 产品概述

一、产品简介

BS250P 是一款高效能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)公司制造,适用于各种电子电路。该器件特别设计用于低功耗应用,具有优良的电气性能和温度稳定性,能够满足现代电子设备对可靠性和效率的需求。其在电源管理、开关电路、信号处理等领域中的广泛应用,使其成为了工程师在设计和开发电路时的理想选择。

二、电气性能

BS250P 的技术参数表现出色:

  • 漏源电压(V_dss): 最高可承受45V的漏源电压,允许其在多种高压工作环境中稳定运行。
  • 连续漏极电流(I_d): 在25°C的工作环境下,最大连续漏极电流为230mA,能够满足大多数中低功率应用需求。
  • 导通电阻(R_ds(on)): 在10V的驱动电压和200mA的电流下,最大导通电阻为14欧姆,确保功率损耗得到有效控制。

三、驱动和开关特性

BS250P 的门源电压(V_gs)的最大值达到±20V,适应不同的驱动电路要求。此外,其阈值电压(V_gs(th))最大值为3.5V,在1mA的条件下表现良好,保证了MOSFET的开关特性,能够快速响应信号变化,满足快速开关的需求。

四、电容特性

输入电容(C_iss)在10V条件下的最大值为60pF,低电容特性使得BS250P特备适合用于高频率应用,减少信号延迟和功率损耗。

五、功耗和温度特性

BS250P 的最大功率耗散能力为700mW,以及广泛的工作温度范围(-55°C至150°C),赋予了它在恶劣环境条件下的高可靠性和灵活性。它能够在高温环境下稳定工作,延长设备的使用寿命。

六、封装和安装

该 MOSFET 采用 E-Line(TO-92 兼容)封装,具有通孔安装类型的设计,这使得它在电路板上的布线更加灵活,便于集成到各种电子设备中。其小型外形利于高密度布局,同时兼具良好的散热性能。

七、应用领域

BS250P 广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 用于电源开关、稳压器以及电池管理系统中,提升能效和稳定性。
  • 信号切换: 在音频、视频和数据路由器中作为开关,实现高效的信号传输。
  • 消费电子: 应用于家庭电器、移动设备和可穿戴设备中,帮助提升设备的整体性能和功耗效率。

八、总结

总之,BS250P 是一款具有优良电气特性、宽广温度范围和高可靠性的 P 通道 MOSFET,适用于众多电子应用。其低导通电阻、高功率耗散能力和快速响应特性,使其在现代电子设计中成为必不可少的元件。无论是在电源管理、信号控制还是高频应用中,BS250P 都能够提供出色的性能,帮助设计工程师实现高效、可靠的电路设计。随着科技的不断发展,BS250P 的应用前景愈加广泛,将为未来的电子设备注入更多的可能性。