描述：场效应管(MOSFET) 1.1W 20V 3.3A 1个P沟道 SO-8
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0.741
1250+
0.628
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@10V,3.3A
功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.7nC
输入电容(Ciss@Vds)353pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)41pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
DMS2085LSD-13 产品概述
一、基本信息
DMS2085LSD-13是一款高性能的P沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)，其设计旨在为各种电子应用提供高效能和稳定性。这款FET具有20V的漏源电压（Vdss）和高达3.3A的连续漏极电流（Id），使其在多种场合下都能表现出色。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，封装形式为8-SOIC，具有良好的散热性能和较小的尺寸，适合于空间有限的电路设计。
二、技术参数
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 3.3A @ 25°C
- 导通电阻（Rds On）: 在10V时，最大值为85毫欧（@ 3.05A）
- 栅阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.2V @ 250µA
- 驱动电压（Vgs）: 4.5V到10V（用于最小Rds On的启动）
电容特性
- 输入电容（Ciss）: 最大值353pF @ 15V
- 栅极电荷（Qg）: 最大7.8nC @ 10V
工作温度
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
功率和散热
- 最大功率耗散: 1.1W @ Ta
- 具肖特基二极管功能，提供目标电路的隔离和保护。
封装信息
- 封装形式: SO-8
- 封装尺寸: 0.154"宽（3.90mm）
三、应用场景
DMS2085LSD-13由于其优异的电气性能和广泛的工作温度范围，适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: MOSFET可用于电源管理，提供高效率的开关控制。
- 电机驱动: 可以作为电机驱动电路中的开关器件，高效控制电机的启停。
- 功率放大器: 由于其良好的导通电阻特性，该器件可用于高频放大应用。
- 照明控制: 可应用于LED驱动及调光系统，实现灯光的智能控制。
四、性能优势
- 高效能: DMS2085LSD-13具备较低的导通电阻，可以减小在开关操作时的能量损耗，从而提高整体效率。
- 高温特性: 可在极端温度环境下工作（-55°C至150°C），适用于高温和低温应用。
- 表面贴装技术: SO-8封装使得该FET容易与现代电路布局相结合，减少了装配面积并提高了可靠性。
- 肖特基二极管功能: 该器件集成了肖特基二极管的特性，能够提供快速的开关反应，进一步提升功率管理的性能。
五、总结
总而言之，DMS2085LSD-13是一款结构紧凑、高效能的P沟道MOSFET，为各种要求高电流和低功率损耗的电子产品提供了极佳的解决方案。凭借其广泛的工作温度范围和多种电气特性，该器件是现代电子设计工程师在电源管理、电机控制和其他相关领域的优选。选择DMS2085LSD-13，您将能够实现更高效、更可靠的电路设计。