型号:

BSP126,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-223
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
BSP126,115 产品实物图片
BSP126,115 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 250V 375mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.99
50+
1.53
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)375mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8Ω@10V,300mA
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)120pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

BSP126 和 BSP115 是由安世半导体(Nexperia)制造的高效能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),它们在电子设备中的应用非常广泛。市场上对能在高电压和高温环境下稳定运行的功率管理器件需求不断上升,而 BSP126 和 BSP115 完美地满足了这一需求。以下是这两款 MOSFET 的详细产品概述。

1. 产品结构与封装

BSP126 和 BSP115 都采用了 SOT-223 封装,这种表面贴装包封的设计使得两个器件的安装成本低并且节省PCB空间。SOT-223 封装的热特性良好,能够有效散热,使得 MOSFET 在高功率工作时依然能够保持良好的性能状态。封装外壳的大小和形状适合自动化生产和快速排布,这也为大规模生产提供了便利。

2. 关键电气参数

BSP126 和 BSP115 的核心指标使其适合在各种应用场合中进行高效能处理。其漏源电压(Vdss)高达 250V,能够承受高电压拉,广泛适用于高压电源转换器、开关电源和电动机驱动等应用。以下是一些关键参数的总结:

  • 连续漏极电流 (Id):两款产品在 25°C 下的最大连续漏极电流分别为 375mA,这意味着它们可以在一定条件下高效传输电流而不会过热。这使得它们适合用于各种需要高电流的负载场合。

  • 导通电阻 (Rds On):在 10V 的驱动电压下,最大导通电阻为 5Ω @ 300mA,大大降低了在开关状态下的功耗,增强了整体的能效。

  • 门极阈值电压 (Vgs(th)):其最大阈值电压为 2V @ 1mA,这使得它们很容易被驱动以及与其他逻辑电路即插即用,大大降低了控制电路的复杂性。

  • 最大栅源电压 (Vgs):为 ±20V,确保了操作的灵活性,使得这两款 MOSFET 可以在多种电路设计中应用。

3. 工作温度和功耗

BSP126 和 BSP115 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,在极端环境下仍能稳定运行,这使得它们能够被广泛应用于汽车、工业和航空航天等严苛的应用场合。此外,它们的最大功耗为 1.5W(传统环境条件下),能够有效满足较高功耗的需求。

4. 应用领域

由于其优越的电气性能和可靠性,这两款 MOSFET 可应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS):在这些电源的开关电路中扮演重要角色,控制电流流动以实现能量转换和电压调节。
  • 电机控制:为电动机提供高效的开关控制,在自动化和机器人等领域极具实用性。
  • LED 驱动:在 LED 照明应用中用作开关元件,有效地控制和调节光亮度。
  • 消费电子产品:可用于各类设备的功率管理电路,提高了其能效和性能。

5. 结论

BSP126 和 BSP115 是出色的 N 通道 MOSFET,具备高电压和高温下的稳定性,适合用于各种复杂的电源管理及电动机驱动应用。它们的设计考虑了工程师在不同应用环境中的需求,并提供了强大的性能和可靠性,这使得它们在现代电力电子领域中有着广泛的市场前景和应用潜力。在新一代电子设备设计中,它们无疑是值得信赖的选择。