型号：
IPD60R360P7SAUMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：2年内
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 41W 600V 9A 1个N沟道 TO-252-3
库存数量
库存：
7373
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.79
2500+
1.7
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）360 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）13nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）555pF @ 400V
功率耗散（最大值）41W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
IPD60R360P7SAUMA1 产品概述
产品简介
IPD60R360P7SAUMA1 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该产品设计用于对高电压和高电流应用场合的需求，以其优越的电气特性和卓越的可靠性成为现代电力电子系统中的理想选择。
基本参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vds）：600V
- 最大连续漏极电流（Id）：9A（在管壳温度 Tc 下）
- 驱动电压：10V (该电压下可实现最小 Rds On)
- 导通电阻最大值：360 毫欧（在 Id=2.7A 和 Vgs=10V 条件下）
- 阈值电压 (Vgs(th))：最高为 4V（在 Id=140µA 的条件下）
- 栅极电荷 (Qg)：最大值为 13nC（在 Vgs=10V 时）
- 输入电容 (Ciss)：555pF（在 Vds=400V 时）
- 最大功耗：41W（在 Tc 下）
- 工作温度范围：-40°C 至 150°C（结温 TJ）
- 封装类型：托-252-3（DPAK）
关键特性
IPD60R360P7SAUMA1 MOSFET 具有多项关键特性，使其在电力电子领域表现出色。其600V的漏源电压使其适用于多种高压应用，如开关电源、逆变器和电动汽车驱动等。同时，能够承受连续9A的漏极电流，为高效电源转换提供了保障。
其低导通电阻（360 毫欧）意味着在开启状态下能耗减少，从而提高功率转换效率。配合最大41W的功率耗散能力，这款 MOSFET 能够在高温环境中长时间稳定运行。加之，向民用、工业和汽车等广泛市场的兼容性，确保其在多种场合的适用性。
应用领域
由于其高电压和电流的能力，IPD60R360P7SAUMA1 常用于以下应用场景：
- 开关电源：在AC-DC转换器和DC-DC转换器中，作为开关元件提高电源效率。
- 电动汽车：用作电动汽车驱动系统的电源管理和控制，提高电池使用效率。
- 逆变器：广泛应用于太阳能逆变器和风力发电系统中，帮助实现清洁能源的高效转化。
- 电机控制：在电机驱动器中作为开关元件，优化电机负载控制，提高驱动效率。
工程师选型
在进行元器件选型时，工程师们往往需要考虑电流、电压、温度等各种环境与工况条件。IPD60R360P7SAUMA1 的广泛适用性和高性能特性使其成为现代电力电子设计中十分理想的选择。此外，其表面贴装式的封装设计方便了自动化组装过程，进一步提高生产效率。
总结
综合来看，IPD60R360P7SAUMA1 N通道MOSFET以其600V的高漏源电压、9A的连续漏极电流、低导通电阻和宽工作温度范围，为现代电子应用提供了优越的解决方案。无论是在电源管理还是在电动驱动系统中，它均能够表现出优秀的性能和可靠性，是工程师们进行电力电子设计时值得信赖的选择。