描述：三极管(BJT) 690mW 40V 4.8A PNP DFN-3(2x2)
库存数量
库存：
2830
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.48
100+
1.19
750+
1.06
1500+
0.999
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)4.8A
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)1.25W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)220@1A,2V
特征频率(fT)135MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)100mV@1A,10mA
工作温度-55℃~+150℃
DXTP5840CFDB-7 产品概述
产品名称: DXTP5840CFDB-7
类型: PNP 晶体管 (BJT)
封装: U-DFN2020-3
品牌: DIODES (美台)
一、基本信息
DXTP5840CFDB-7 是一款高性能的 PNP 型结型晶体管，其设计重点在于高电流处理能力与紧凑的表面贴装封装。它的最大集电极电流 (Ic) 为 4.8A，适合用于需要处理中等功率且空间受限的应用场景。其集射极击穿电压 (Vce) 最大为 40V，能在多种电源配置中稳定工作。
二、关键参数
电流特性:
- 最大集电极电流（Ic）: 4.8A，适用于高负载需求的电路。
- 集电极截止电流 (Ic, cut-off): 最高仅为 100nA，表明该器件在关断状态下的漏电流非常小。
电压特性:
- 最大集射极击穿电压（Vce）: 40V，这使得该器件能在多种电压范围内高效工作。
压降和增益:
- 在 3A 时，集极至发射极的饱和压降 (Vce(sat)) 最大为 370mV，显示出优秀的功率损失特性，它在多个负载条件下均能维持低压降。
- 直流电流增益 (hFE) 最小为 250，在较低的集电极电流 (10mA) 和双极性电压 (2V) 下提供非常好的增益特性，有助于信号放大和开关应用。
频率特性:
- 频率跃迁达 135MHz，使得该器件能够在高频行驶的应用中保持良好性能，适合于高频开关电源与通信设备。
功率和温度:
- 最大功率耗散为 690mW，适合多种功率处理应用。
- 工作温度范围广泛，能承受 -55°C 至 150°C 的温度变化，适合极端环境下的电气应用。
三、应用领域
DXTP5840CFDB-7 适用于多种电子设备，特别是在以下领域表现优异：
- 电源管理: 在开关电源及低噪声电源放大器中，作为开关或信号放大器使用。
- 音频放大器: 具备良好的增益性能与频率特性，适合用于音频功率放大器。
- 驱动电路: 用于驱动继电器、马达和其他负载，在效率和功能密度要求较高的应用便于实现。
- 工业设备: 频率和工作温度范围适合用于工业自动化以及需要强大可靠性的环境。
四、封装与安装
DXTP5840CFDB-7 采用 U-DFN2020-3 封装，这种表面贴装型设计提供了较好的热性能与紧凑尺寸，方便在空间受限的电路板上实现高效的集成。该封装也支持自动化焊接流程，提高了生产效率。
五、总结
总之，DXTP5840CFDB-7 是一款具有高电流、高电压能力的 PNP 晶体管，适用于多种高性能和极端环保的应用场合。凭借其优越的电气特性和先进的封装设计，DXTP5840CFDB-7 不仅提高了电路性能，而且在各种应用中表现出色，是电子工程师开发新一代电子设备时的理想选择。无论是在消费类电子、电源管理还是工业驱动领域，这款晶体管都能满足严苛的设计需求。