型号:

ZVN2110ASTZ

品牌:DIODES(美台)
封装:EP3SC
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
ZVN2110ASTZ 产品实物图片
ZVN2110ASTZ 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 100V 320mA 1个N沟道
库存数量
库存:
1407
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.84
100+
2.18
1000+
1.9
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)320mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4Ω@10V,1A
功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)75pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

ZVN2110ASTZ 产品概述

概述

ZVN2110ASTZ 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物场效应管),广泛应用于开关电源、功率放大器、低通滤波器以及其他电子设备中。此器件由美台品牌 DIODES 生产,具备出色的电流控制能力及热管理特性,适用于多种电子应用。

主要特性

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss): 最大达到 100V,适合高电压应用,能满足相对苛刻的电压条件。
    • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下, ZVN2110ASTZ 支持最高连续漏极电流为 320mA,能够有效驱动各种负载。
    • 导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极电压下,导通电阻最大为 4Ω @ 1A,这为在较高电流下的高效工作提供了良好的条件,从而提高了能效比。
    • 栅极源电压(Vgs): 最大可承受 ±20V,允许灵活的驱动条件与设计方案。
  2. 开关性能

    • 输入电容(Ciss): 最大为 75pF @ 25V,影响开关速度与高频性能,使其适用于高频应用。
    • 阈值电压(Vgs(th)): 最大恒定为 2.4V @ 1mA,这保证了在较低电压下也能启动调制,从而有效降低功耗。
  3. 功率参数

    • 功率耗散: 最大功率耗散为 700mW(在室温下),这使得该器件能够在较高功率条件下稳定工作,适合需要高热散发的场合。
  4. 工作环境

    • 工作温度: ZVN2110ASTZ 可以在-55°C ~ 150°C 的广泛温度范围内工作,适合各种工业级应用,包括汽车电子和航空航天等领域。
  5. 封装形式

    • 该器件采用 E-Line(兼容 TO-92)的通孔安装形式。此封装小巧而便于向电路板的集成,适合空间受限的应用。

应用领域

由于其杰出的电气特性,ZVN2110ASTZ 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 能够高效转换电能,适合用于开发各种电源管理系统。
  • 电机控制: 适合用于直流电机、步进电机的驱动控制,帮助提高效率与响应速度。
  • 信号放大: 在射频和音频放大器中应用,能够实现较高的增益和良好的线性性能。
  • 低通滤波器: 用于信号处理和滤波器电路,可以对信号进行有效的处理与控制。

结论

ZVN2110ASTZ 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET,具备高效能的电气特性以及可靠的工作环境适应能力。凭借其多样的应用场景和稳定的性能,理想用于现代电子设备中的各类应用。无论是在消费电子,工业设备还是汽车电子,ZVN2110ASTZ 都是能够满足复杂应用需求的优秀选择。选择 ZVN2110ASTZ,将有助于提升您的设计质量,确保项目的成功与稳定运行。