型号：
BSC016N06NSATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TDSON-8FL
批次：22+
包装：编带
重量：0.15g
其他：
-
9折
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
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产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）71nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5200pF @ 30V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），139W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TDSON-8 FL
封装/外壳8-PowerTDFN
产品概述：BSC016N06NSATMA1 MOSFET
一、引言
BSC016N06NSATMA1是由英飞凌（Infineon）公司生产的高效能绝缘栅场效应管（MOSFET），属于N通道MOSFET系列。这款元器件专为需要高功率、高电流承载能力的应用场合设计，具备杰出的电气特性和散热性能，广泛应用于开关电源、DC-DC变换器、电机驱动和电源管理等领域。
二、基本参数
BSC016N06NSATMA1的关键参数如下：
- 晶体管类型：N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：最大60V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C下，最大30A；在结温（Tc）下，最大100A
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V和50A时，最大值为1.6毫欧
- 栅极偏置电压（Vgs）：可达±20V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大2.8V（在95µA时）
- 栅极电荷（Qg）：最大71nC（在10V时）
- 输入电容（Ciss）：最大5200pF（在30V时）
- 功耗（Pd）：在环境温度下最大2.5W，在结温下最大139W
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 封装：8-PowerTDFN (PG-TDSON-8 FL)
三、技术特点
BSC016N06NSATMA1以其优异的电性能和热性能成为许多电源管理与功率转换应用的首选组件。其低导通电阻确保在高电流条件下的电能损失最小化，从而提高系统的整体效率。同时，该MOSFET具有良好的开关特性，较低的栅极电荷有助于提高开关频率，满足高效开关电源的需求。
此外，该器件的宽工作温度范围使其在极端环境下仍能稳定运行，适用于汽车、电力电子和工业应用等要求苛刻的场合。
四、应用领域
BSC016N06NSATMA1广泛应用于多种电子电路，包括但不限于：
- 开关电源：在反激式或升压式变换器中用作开关元件，具有高效能和稳定性。
- DC-DC 转换器：可用于降压和升压转换器，提高电源效率。
- 电机驱动：高电流承载能力使得该MOSFET常用于电动机的开关控制。
- 电源管理：适用于高频和高效率的电源管理应用，提供稳定的负载电流。
五、总结
BSC016N06NSATMA1作为一款高性能N通道MOSFET，凭借其低导通电阻、高漏源电压、优良的散热特性和广泛的工作温度范围，成为多种电源和电力电子应用的理想选择。英飞凌的双重质量控制与技术支持让用户能在设计和生产过程中得到更多保障与便利。其出色的电气参数和广泛的适用性使其在竞争激烈的市场中脱颖而出，为各种应用提供了强有力的支持。