型号:

2DC4617QLP-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1006-3
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
2DC4617QLP-7B 产品实物图片
2DC4617QLP-7B 一小时发货
描述:三极管(BJT) 400mW 50V 100mA NPN DFN-3(1x0.6)
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10000+
0.119
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1.0mA,6.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@50mA,5.0mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2DC4617QLP-7B

一、基本信息

2DC4617QLP-7B是一款高性能NPN型晶体管,采用先进的表面贴装技术(SMD),同时具有出色的电气特性和广泛的适应性,适合于多种电子应用场景。其主要参数包括最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vceo)为50V;此器件能在高达100MHz的频率下稳定工作,且具备较低的功率耗散能力(最大250mW),使其能够在小尺寸的封装内实现高效能。

二、技术特点

  1. 电气特性

    • 集电极电流(Ic): 最大值为100mA,这使得2DC4617QLP-7B非常适合用于信号放大、开关控制等应用,能够处理相对较大的负载电流。
    • 集射极击穿电压(Vceo): 最大值为50V,确保其在多种电压条件下的可靠性,适合高电压电路的应用。
    • 饱和压降(Vce(sat)): 对于5mA和50mA的电流条件下分别达到200mV的饱和压降,表明在导通状态下能有效降低功耗和发热,提高工作效率。
    • DC电流增益(hFE): 在1mA和6V的条件下,最小值可达120,这使得此晶体管能够提供良好的放大能力,增强信号处理能力。
  2. 频率特性

    • 跃迁频率: 其工作频率高达100MHz,适用于高频开关和信号放大应用。该特性使其在无线通信、音频设备等高频应用中表现出色。
  3. 工作环境

    • 工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适应多种工业和消费类环境,尤其适合在极端温度条件下使用。
  4. 封装与安装

    • 封装类型: 采用3-UFDFN(DFN-3)的封装形式,具有紧凑和低配置影响的优势,适合现代电子设备的小型化趋势。
    • 安装方式: 表面贴装型设计使得该器件易于自动化生产,能够在压缩的电路板空间内完成高效装配。

三、应用场景

2DC4617QLP-7B广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于:

  • 消费电子: 适用于音频放大器、调音器和执行器等。
  • 无线通信: 在信码放大、信号调制解调器中,保证信号的高质量传输。
  • 工业自动化: 用于控制电机驱动、继电器驱动等设备,能够有效控制负载。
  • 汽车电子: 在汽车控制模块中,实现开关控制和信号放大。
  • 医疗设备: 在生物监测和其他医疗仪器中,用于信号处理。

四、总结

2DC4617QLP-7B凭借其卓越的电气性能、宽广的工作环境适应性和紧凑的封装设计,成为各类应用中不可或缺的节点选择。无论是在高频电路中还是在要求严格的工业应用场景中,该器件均可确保系统的高效运行和稳定性。搭配DIODES(美台)品牌的可靠性与质量保障,2DC4617QLP-7B将为您的设计提供有效的解决方案。