型号：
DMN2400UFDQ-7
品牌：DIODES(美台)
封装：UDFN12123
批次：22+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
2910
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.721
200+
0.497
1500+
0.452
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）600 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）37pF @ 16V
功率耗散（最大值）400mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装U-DFN1212-3（C 类）
封装/外壳3-PowerUDFN
DMN2400UFDQ-7 产品概述
一、概述
DMN2400UFDQ-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由 DIODES (美台) 公司制造，专为各种电子应用设计。其高效的导通特性、低功耗和宽工作温度范围使其在开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用中表现出色。该 MOSFET 采用表面贴装型设计，封装为 UDFN12123，适合需要高集成度和小型化的电子设备。
二、主要参数
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 20V，确保在大部分低电压应用中都能稳健工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时提供高达 900mA 的连续电流，适合驱动中等功率的负载。
- 驱动电压（Vgs）: 具有两个驱动电压等级，分别为 1.5V 和 4.5V，这使得 MOSFET 能够在较低电压下实现良好的开关效率。
导通电阻（Rds(on)）
- 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻在 200mA 时的最大值为 600 毫欧，降低了功率损耗，提高开关效率。
栅极特性
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 1V (在 250µA 时)，这使得 MOSFET 在较低的栅极电压下即可导通，适合逻辑电平驱动。
- 栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 时最大栅极电荷为 0.5 nC，降低了驱动电路的负担，提高了开关速度。
电容特性
- 输入电容（Ciss）: 在 16V 时，最大输入电容为 37pF，减少了在高频操作时的信号损失与延迟。
功率耗散
- 该器件的最大功率耗散为 400mW（在 25°C 的环境温度下），能够适应多种应用环境。
工作温度
- DMN2400UFDQ-7 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C 的范围，使其在严苛的工作环境中也能稳定运行。
三、封装与安装
DMN2400UFDQ-7 采用 U-DFN1212-3 表面贴装型封装。该封装设计旨在节省空间并提高散热性能，非常适合现代电子设备的小型化需求。表面贴装技术（SMT）使得该器件能够在自动化焊接生产线上快速集成。
四、应用场景
DMN2400UFDQ-7 的特性使其适合多种领域的应用，包括但不限于：
- 开关电源: 能够在高效的开关工作模式中提供稳定的电流。
- DC-DC 转换器: 极低的导通电阻和快速的开关速度为高效电能转换提供了保证。
- 负载开关: 可以用作电源管理及信号切换，提供可靠的开关控制。
- 电机驱动: 在小型电机控制器中，可有效管理电机的运行状态。
五、总结
DMN2400UFDQ-7 是一款优质的 N 通道 MOSFET，凭借其优化的电气性能、广泛的工作温度范围和小型的封装设计，能够在多种电子应用中发挥重要作用。其低功耗、高效率的特性使其成为现代电子设备设计的理想选择。对于寻求高效、可靠驱动解决方案的工程师和设计师而言，DMN2400UFDQ-7 绝对是一个值得信赖的选择。