DMN67D7L-13

产品概述：DMN67D7L-13 N通道MOSFET

1. 基本信息

DMN67D7L-13 是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造，适合各种电子应用。该器件采用SOT-23-3表面贴装型封装，提供了优异的电气特性和高功率密度，广泛应用于电源管理、开关电源和驱动电路中。

2. 主要技术参数

• FET类型: N通道
• 漏源电压（Vdss）: 60V
• 连续漏极电流（Id）: 210mA（在25°C环境下）
• 驱动电压: 最小5V，最大10V（在不同的Rds On下）
• 导通电阻（Rds On）: 最大5欧姆（@500mA，10V）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大2.5V（@250µA）
• 栅极电荷（Qg）: 最大.821nC（@10V）
• 最大栅源电压（Vgs）: ±40V
• 输入电容（Ciss）: 最大22pF（@25V）
• 功率耗散: 最大570mW（在25°C环境下）
• 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
• 封装类型: SOT-23-3

3. 应用场景

DMN67D7L-13MOSFET因其高效能和可靠性，常用于以下应用：

• 电源管理: 在开关电源中，MOSFET可作为开关元件，提升转换效率，降低能量损耗。
• 电机驱动: 在各种电机驱动应用中，DMN67D7L-13能够有效地控制电机的启停和调速，满足应用需求。
• 信号开关: 该器件可用作信号开关，控制信号路径的开启和关闭，广泛应用于通信设备和信号处理电路中。
• 高频应用: 由于其低输入电容和快速开关特性，适合在高频率的应用中，例如RF设备和数据通信系统中。

4. 性能优势

1. 高效率和低功耗: DMN67D7L-13在控制电流和电压时展现出优异的效率表现。在最小化导通电阻的情况下，实现更低的功耗，适合对能效要求高的设计。

2. 宽工作温度范围: 根据-55°C至150°C的工作温度范围，该MOSFET适合在极端环境条件下工作，保证了设备的可靠性和稳定性。

3. 适应性强: DMN67D7L-13由于其封装设计和电气性能，可以在多种电路应用中通用，满足不同设计需求。

4. 紧凑设计: SOT-23-3表面贴装封装使得DMN67D7L-13适合空间受限的应用，它允许设计师在小型化的PCB上使用。

5. 结论

DMN67D7L-13是一款多功能、高性价比的N通道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围，成为许多电子设备设计者的首选。无论是在电源管理、电机控制、信号开关还是高频应用中，它都能为产品提供高效、可靠的解决方案，是推动现代电子技术进步的重要元件。对其正确的应用可以帮助工程师实现更加节能高效的产品设计。