DMN31D6UT-13

产品概述：DMN31D6UT-13

一、产品简介

DMN31D6UT-13 是一款高效能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应管），由知名电子元件制造商 DIODES（美台）生产。该器件设计用于低电压和中等电流应用，提供了一系列优异的电气特性，使其在现代电子电路中广泛应用。其主要特性包括较低的导通电阻、较高的工作温度范围和紧凑的封装设计，非常适合需要高效能和节能的电源管理、开关电源、负载开关和其他功率控制电路。

二、产品特性

1. 电气参数

   • 漏源电压（Vdss）：最大可达 30V，适合处理中等电压应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，提供高达 350mA 的连续电流能力，适应多种负载要求。
   • 导通电阻（Rds(on)）：在 4.5V 驱动电压下，导通电阻最大为 1.5Ω（于 100mA），使得器件在导通时具有极低的功率损耗，提升系统效率。
   • 栅源电压（Vgs）：最大为 ±12V，提供灵活的驱动方式。
   • 栅极开启电压（Vgs(th)）：最大为 1.4V（@ 250µA），极低的开启电压使得其在较低电压环境下能够快速开启，提升开关速度。

2. 工作特性

   • 功率耗散：最大功耗为 320mW，适合在热量控制得当的情况下运行。
   • 输入电容（Ciss）：在 15V 时最大为 13.6pF，低输入电容值有助于提高开关速度，适合高频应用。
   • 栅极电荷（Qg）：在 4.5V 驱动下最大为 0.35nC，较小的栅极电荷提高了驱动电路的效率，减少了开关损耗。

3. 温度范围

   • 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合各种恶劣环境下的应用和高温操作，能够确保长期稳定的性能。

4. 封装设计

   • 采用 SOT-523 封装，表面贴装类型，体积小巧，便于大规模集成与应用，适合空间受限的电路板设计，也便于生产工艺的提升。

三、应用领域

DMN31D6UT-13 广泛应用于低功率直流-直流转换器、便携式设备、智能手机、平板电脑、家用电器等多种电子设备中。其高效能和小型化特性使其成为现代电子设计中不可或缺的开关元件。此外，因其优秀的热性能和可靠性，该器件也非常适合用于汽车电子和工业自动化领域。

四、总结

DMN31D6UT-13 N 通道 MOSFET 以其超凡的电气性能、宽广的工作温度范围，以及紧凑的封装设计，成为各类电子产品中理想的开关管选择。无论是在性能上还是在经济性上，它都能为设计人员提供可靠的解决方案，为转变为节能型和高效型电子产品提供了强有力的支持。考虑到这些优越的特性，DMN31D6UT-13 将为未来的电子产品创新提供广泛的可能性。