型号:

DMN10H220LFDF-7

品牌:DIODES(美台)
封装:U-DFN2020-6
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN10H220LFDF-7 产品实物图片
DMN10H220LFDF-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.1W 100V 2.2A 1个N沟道 DFN2020-6
库存数量
库存:
2794
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.455
3000+
0.426
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@10V,1.6A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)401pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)17pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

DMN10H220LFDF-7 产品概述

1. 产品简介

DMN10H220LFDF-7 是由美台(DIODES)生产的一款高性能场效应管(MOSFET)。这款器件采用了先进的半导体技术,具有 1.1W 的额定功率,最大工作电压 100V 和持续电流 2.2A。其N沟道设计使其在许多电子应用中表现出色,特别是在高效的能量转换和开关应用中。

2. 封装特性

DMN10H220LFDF-7 采用 U-DFN2020-6 封装,尺寸小巧,符合现代电子设备对空间 miniaturization 的需求。DFN(扁平双列引脚,无引脚封装)设计使得器件的引脚布局更为紧凑,具有良好的信号完整性和热性能。由于其低导通电阻,这款 MOSFET 能够在工作时有效降低功耗,提升整体电路性能。

3. 关键参数

  • 类型:N沟道 MOSFET
  • 额定功率:1.1W
  • 最大电压:100V
  • 持续电流:2.2A
  • 封装:U-DFN2020-6

这些参数使得 DMN10H220LFDF-7 在多种应用环境中都具有很强的适用性,尤其是需要较高电压和电流的场合。

4. 性能特点

  1. 低导通电阻:得益于其高效的内部结构和材料,此型号 MOSFET 拥有较低的 RDS(on),这意味着在工作时流过 MOSFET 的电流造成的功耗更低,提高了整体电路效率。

  2. 快速开关特性:该器件支持快速开关,能够在高频率下有效工作。这对于现代开关电源(SMPS)、逆变器和其他需要快速反应的应用至关重要。

  3. 强大的热管理能力:由于使用了散热良好的封装结构,处理高功率时,器件可保持相对低的温度。良好的热性能使得 DMN10H220LFDF-7 可以在较高环境温度下稳定运行。

5. 应用领域

DMN10H220LFDF-7 适合广泛的应用,包括但不限于:

  • 开关电源:在电源管理中,MOSFET 用于高效开关和电流控制。
  • 电机驱动:在电机控制系统中,MOSFET 可用于 PWM 控制,使得电机的运行更加平滑。
  • LED 驱动电路:在 LED 照明应用中,MOSFET 可用作调光控制器,以提高光效和节能。
  • 电池管理系统:作为充放电管理的重要组成部分,MOSFET 在电池均衡中起到至关重要的作用。

6. 设计考虑

在使用 DMN10H220LFDF-7 时,设计者应仔细考虑器件的电气特性,包括最大工作电压和电流,确保其在安全范围内运行。此外,建议设计合适的散热措施,以保证器件在高负载下的稳定性和可靠性。

7. 结论

作为一款功能强大的 N沟道 MOSFET,DMN10H220LFDF-7 不仅具备高效的电气性能,还具有优良的热管理特性,适合在各种现代电子应用中使用。它可以帮助设计人员优化系统效率,为最终产品提供更加可靠和高效的解决方案。随着科技的不断发展,选择合适的 MOSFET 对于任何电子项目的成功都将是至关重要的,而 DMN10H220LFDF-7 无疑是一个值得信赖的选择。