DMC2710UDW-13

DMC2710UDW-13 产品概述

产品简介

DMC2710UDW-13 是一款高性能的互补型场效应管（MOSFET），其设计旨在高效地满足各种电子应用需求。该器件采用SOT-363封装，整合了一个N沟道和一个P沟道MOSFET，具备出色的电流承载能力和导通性能。其主要参数包括最大漏源电压为20V，在25°C环境温度下可提供连续的漏极电流达750mA（N通道）和600mA（P通道），使其非常适合用于开关电源、负载驱动和其他功率管理应用。

主要特性

• 互补型设计：DMC2710UDW-13包括一个N沟道和一个P沟道FET，这种设计允许用户在单一封装中实现更为灵活的电路设计，提高电路效率。
• 高电流能力：该元器件支持高达750mA的连续漏极电流，适合多种高性能及高负载的应用场合。
• 低导通电阻：当电流为600mA时，N沟道的最大导通电阻为450mΩ，P沟道则为750mΩ。这保证了在工作状态下的低功耗和高效率，减少了设备的发热量。
• 宽工作温度范围：该MOSFET能够在-55°C至150°C的环境条件下稳定运行，适合于各种温度变化较大的工业和军事应用。
• 小型化封装：SOT-363封装使得该元器件在电路设计中具备更小的占用面积，特别适合需要紧凑设计的便携式设备。

电气特性

• 漏源电压 (Vdss)：20V
• 最大电流 (Id)：N沟道750mA，P沟道600mA
• Vgs(th) 最大值：1V @ 250µA，为电路的开关特性提供良好支持。
• 导通电阻 (Rds(on))：450mΩ（N通道, 600mA）和750mΩ（P通道, 430mA），表明在导通状态下的电能损耗低。
• 栅极电荷 (Qg)：最高600pC（适用于4.5V驱动），确保快速开关反应，适合高频应用。
• 输入电容 (Ciss)：42pF (16V)、49pF，表明输入信号对电源的影响较小，进一步增强了电路的稳定性。

应用领域

由于其卓越的性能和灵活的封装形式，DMC2710UDW-13特别适合于：

• 开关电源：提供改善的开关速度和降低的功耗，帮助提升整体电源效率。
• 电机驱动：适用于各种小型电机及步进电机控制，满足电机启动、停止以及调速的开关需求。
• 负载开关：用于家用电器、消费电子和工业设备等，通过低导通电阻实现高效能切换。
• 行车记录仪和便携式设备：其小型化设计使其非常适合用于空间有限的设备中。

结论

DMC2710UDW-13结合了高性能的电气特性与小巧的封装设计，是多种现代电子产品中不可或缺的组件。无论是低功耗应用、严苛工作环境，还是要求紧凑性的高频电路，DMC2710UDW-13均能以其卓越的性能和可靠性满足设计需求。因此，它是工程师在选择MOSFET时的理想选择，为创新设计提供强大的支持。