DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7 产品概述

基本信息

DMN1150UFL3-7 是一款由 DIODES（美台）制造的高性能 N-通道场效应管（MOSFET），专为高效能应用而设计。该器件采用先进的半导体技术，其封装类型为 X2-DFN1310-6，具有裸露焊盘，方便在表面贴装电路中使用。其最大漏源电压为 12V，额定连续漏极电流为 2A，适用于多种电子设备和电路设计需求。

主要参数

DMN1150UFL3-7 的关键参数包括：

• FET 类型：2 N-通道（双）
• 漏源电压（V_dss）：12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极（I_d）：2A
• 导通电阻（R_ds(on)）：在 1A 和 4.5V 时，最大值为 150 毫欧，这是评估功耗和效率的重要指标。
• 栅极阈值电压（V_gs(th)）：在不同的 I_d 条件下，最大值为 1V（@ 250µA），说明在较低的栅极电压下即可开始导通，适用于低压驱动电路。
• 栅极电荷（Q_g）：在 4.5V 时，最大值为 1.4nC，表示开关速度较快，适合高频开关应用。
• 输入电容量（C_iss）：在 6V 时，最大值为 115pF，有助于提高开关特性，减少开关损耗。
• 功率消耗：最大功率为 390mW，适合在低功耗设计中使用。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适应各种极端环境应用。

应用领域

DMN1150UFL3-7 的特点使其适合在多种电子设备场合使用，尤其是在需要高效能和稳定性的场合。以下是一些主要的应用领域：

1. 电源管理：可用于 DC-DC 转换器、开关电源、步进转换器等，提升系统效率并降低功耗。
2. 电机驱动：适合于电动机控制系统，能够提供高效的开关性能和低热量损失，延长电机的使用寿命。
3. 便携式设备：由于其小型化和低功耗特性，非常适合于移动电话、平板电脑及带电池的便携式设备。
4. LED 驱动：可以用于 LED 固态灯的驱动电路，确保高效驱动及亮度调节。

封装与散热

DMN1150UFL3-7 采用 X2-DFN1310-6 封装，这种紧凑的设计不仅节省了电路板空间，同时容易散热。由于其裸露焊盘的设计，有助于实现更好的热传导，降低器件工作温度，提高整体可靠性。

总结

DMN1150UFL3-7 是一款集高性能与高可靠性于一体的 N-通道 MOSFET，适合于多种高效能电路应用。其低阈值电压、低导通电阻和优越的开关特性，使其在当今电子设备中扮演着重要角色。无论是电源管理、LED 驱动还是电机控制，DMN1150UFL3-7 都是您理想的选择。