描述：Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW
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产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)145mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）10 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）.35nC @ 4.5V
Vgs（最大值）-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）27.2pF @ 10V
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装X2-DFN0806-3
封装/外壳3-XFDFN
DMP213DUFA-7B 产品概述
一、基本介绍
DMP213DUFA-7B是一款由DIODES（美台半导体）生产的P型MOSFET（场效应晶体管），采用X2-DFN0806-3封装形式。该元器件广泛应用于电机驱动、电源管理、开关电路以及电池供电设备中，其优良的电流、电压和温度特性使其在现代电子产品设计中具有重要地位。
二、产品规格
DMP213DUFA-7B的主要技术参数如下：
- FET类型：P通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：25V，适合多个高压应用环境
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时最大可达到145mA，适合中小电流的开关需求
- 驱动电压：以2.7V和4.5V为基准的最小及最大Rds(on)值，能够在相对较低的栅极电压下工作
- 导通电阻（Rds(on)）：在200mA和4.5V条件下，其最大导通电阻为10欧姆，降低了开关损耗
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大1.5V（@250µA），确保设备能够在较小的控制信号下开启
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V下为最大0.35nC，适合快速开关应用
- 最大栅极源电压（Vgs）：-8V，确保保护电路的稳定性
- 输入电容（Ciss）：27.2pF（@10V），较小的输入电容意味着更快的开关速度
- 功率耗散：最大360mW，为器件在高密度应用中提供了更好的散热能力
- 工作温度范围：从-55°C到150°C，适应广泛的环境条件
- 安装类型：表面贴装型（SMD），便于自动化焊接和组装
- 封装形式：3-XFDFN，体积小巧，有助于电子产品的迷你化设计
三、应用场景
DMP213DUFA-7B在多个领域均具有广泛的应用潜力，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器和线性调节器中用于开关控制，与其他元器件组合实现高效的电源转换。
- 电池驱动设备：适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等，保证操作稳定性。
- 电机控制：在小型电机驱动电路中充当开关元件，增大电机启动和熄火的效率，尤其在步进电机和直流电机应用中表现卓越。
- LED驱动：作为照明设备中的调光控制元件，实现亮度调节，延长LED工作寿命。
四、结论
DMP213DUFA-7B是一个强大而高效的P型MOSFET，具有众多优异特性，特别是低开关损耗和广泛的工作温度范围，使其适合于各种应用场合。凭借其小巧的封装设计和强大的电流处理能力，为现代电子产品设计提供了良好的解决方案。
该产品在工程师设计时，需关注其最大功率耗散和导通电阻，以确保在实际应用中达到预期的性能要求。同时，考虑到该MOSFET的高温工作特性，其适用于更为严苛的工业和消费类电子环境，是为设计师提供的优秀解决方案之一。