描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 6.7A 1个N沟道 TSOT-23-6
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@2.5V,5.2A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)667pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)83pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
DMN2040UVT-7 产品概述
产品简介 DMN2040UVT-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有出色的电气特性和广泛的应用灵活性。这款 MOSFET 的设计旨在优化功率管理，适合用于多种电子设备中，特别是在开关电源、马达控制、和其他需要高开关速度和高效率的场景中。
基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时，最大可达 6.7A
- 驱动电压: 最佳驱动电压为 2.5V 和 4.5V
- 导通电阻 (Rds On): 最大值为 24毫欧，具体在 Id 为 6.2A 和 Vgs 为 4.5V 时测得。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1.5V，测定电流为 250µA。
- 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 4.5V 时，最大为 7.5nC。
- Vgs 绝对最大值: ±8V
- 输入电容 (Ciss): 最大为 667pF，测试条件为 Vds 为 10V。
- 功率耗散 (Pd): 最大为 1.2W，适用于典型环境温度下。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，适用于极端环境。
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
- 封装: TSOT-26，符合 SOT-23-6 细型标准。
产品特性 DMN2040UVT-7 MOSFET 的设计优先考虑导通损耗和开关速度。在 2.5V 和 4.5V 驱动下，能够实现低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中效率极高，能够有效地减少功率损耗。它的最大漏源电压为 20V，适应了许多常见的电源和控制电路的需求。同时，其 6.7A 的连续漏极电流让它能够在负载较大的环境下稳定运行。
应用场景 DMN2040UVT-7 的优势使其适用于多个领域：
- 开关电源: 出色的导通特性和低导通电阻使其成为开关电源中的理想选择。
- 电池管理系统: 其低阈值电压特性使得在电池管理和充电电路中表现良好。
- 马达驱动: 可用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，能够提供快速切换和高效驱动。
- 高频开关应用: 由于其低输入电容，适合用于高频开关应用，能够在高频工作下保持良好性能。
- LED 驱动: 适用于 LED 显示和照明设备的驱动，提供稳定可靠的工作环境。
结论 DMN2040UVT-7 作为一款性能优越的 N 通道 MOSFET，其在功率转换和开关应用中表现出色，能满足各种高效能电子产品的需求。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围以及小巧的封装设计，该 MOSFET 是电源管理、马达控制与高频应用的理想选择。随着技术的不断发展和应用的多样化，DMN2040UVT-7 为设计师提供了额外的灵活性和高效能。