型号:

DDA123JH-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT563
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
DDA123JH-7 产品实物图片
DDA123JH-7 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-563
库存数量
库存:
2900
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.646
200+
0.445
1500+
0.405
产品参数
属性参数值
晶体管类型2个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.1V@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.9V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@5mA,0.25mA
电阻比率21.4
工作温度-55℃~+150℃

DDA123JH-7 产品概述

一、概述

DDA123JH-7 是一款高性能的数字晶体管,包含两个 PNP 预偏压式晶体管,适用于多种电子电路的设计与应用。该器件由知名品牌 DIODES(美台)制造,采用表面贴装型(SMD)封装,具体封装类型为 SOT-563。本产品设计旨在满足现代电子设备的高效能和紧凑布局要求。

二、主要参数

  1. 晶体管类型:DDA123JH-7 包含两个 PNP 预偏压式晶体管,这种设计有效提高了开关速度和线性性能。
  2. 最大集电极电流(Ic):器件的最大集电极电流为 100mA,适合在低功耗电路中使用。
  3. 最大集射极击穿电压(Vce):器件具有高达 50V 的耐压能力,有效抵御电压尖峰和过压情况。
  4. DC 电流增益(hFE):在特定条件下(10mA,5V),器件的 DC 电流增益(hFE)最小值为 80,保证了晶体管在较低输入电流条件下依然能够有效工作。
  5. 饱和压降(Vce(sat)):最大饱和压降为 300mV(条件为 250µA,5mA),这意味着在导通状态下,器件所产生的功率损耗较低,适合高效率电路的设计。
  6. 频率特性:具备 250MHz 的跃迁频率,能够支持高频率信号的应用,适合用于高频开关电路、放大电路等场合。
  7. 功率限制:最大功率为 150mW,虽然相对较低,但适用于多数低功耗应用场景。
  8. 电阻配置:为确保最佳性能配置,基极电阻(R1)为 2.2kΩ,发射极电阻(R2)为 47kΩ。

三、封装特性

DDA123JH-7 采用 SOT-563 封装,这种封装方式不仅提供了良好的热管理和电气特性,还能在较小的空间内完成设计,满足现代电子产品日益小型化的需求。表面贴装(SMD)技术使得组件易于自动化焊接,提高了生产效率。

四、应用场合

DDA123JH-7 通常用于:

  • 开关电源:可作为开关元件进行电源管理,确保电源的高效性。
  • 信号处理:在信号放大与驱动电路中广泛应用,具备良好的频率响应和增益特性。
  • 逻辑电路:适合用于简单的逻辑控制,能够迅速响应输入信号的变化。
  • 消费电子:应用于各类小型电子设备中,如电视、音响、便携式设备等。

五、使用建议

在使用 DDA123JH-7 前,设计师应仔细评估电路需求与器件的最大参数,确保在额定工作条件内运行。此外,要考虑散热措施,以确保在高负荷情况下器件的长期稳定运作。建议在系统中适当设置保护电路,例如过流、过压保护,以避免意外故障。

六、结束语

DDA123JH-7 作为一款经济高效的双 PNP 数字晶体管,凭借其优越的电气性能和灵活的应用基础,满足了当今电子产品对性能与可靠性的双重要求。随着电子应用场景不断扩展,DDA123JH-7 将为设计师提供便捷的解决方案,推动各类新产品的成功开发。