型号:

DMN1014UFDF-13

品牌:DIODES(美台)
封装:U-DFN2020-6
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN1014UFDF-13 产品实物图片
DMN1014UFDF-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 12V 8A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存数量
库存:
9990
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.909
100+
0.626
500+
0.57
2500+
0.528
5000+
0.493
10000+
0.452
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@4.5V,2A
功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)515pF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)121pF@6V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMN1014UFDF-13 产品概述

一、产品简介

DMN1014UFDF-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能N沟道MOSFET,专为中低功率应用设计。其主要特点包括较低的导通电阻、高速开关能力,以及良好的热性能。适用于各种电源管理、开关电源、马达驱动及高频电路等应用场景。

二、基本参数

DMN1014UFDF-13的核心参数包括:

  • FET 类型:N通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):最大12V
  • 最大连续漏极电流(Id):8A(在25°C环境中)
  • 驱动电压:能够在2.5V至4.5V下实现最佳性能
  • 最大导通电阻(Rds On):在4.5V、2A条件下,最大值为16毫欧,这提供了优良的电流传导能力。
  • 开关特性:在Vgs(th)(最高1V @ 250µA)下,MOSFET能够实现快速导通和关断。

三、结构与材料

该MOSFET采用表面贴装型封装,型号为U-DFN2020-6(F类),其裸露焊盘设计便于在PCB板上进行焊接。该封装不仅紧凑,还有助于降低寄生电容和电感,从而改善高频响应性。其结构设计也确保了在高功率应用下的热管理性能,这对于延长器件的使用寿命至关重要。

四、性能特点

  1. 低导通电阻:DMN1014UFDF-13 的最低Rds On使其在开关电源和电机控制等应用中具有较低的功耗和更高的效率。
  2. 广泛的工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,使其在严苛环境下的应用表现稳定。
  3. 快速开关特性:栅极电荷(Qg)的最大值为6.4nC @ 4.5V,说明其在高频开关应用中具备良好的性能,能够有效降低开关损耗。
  4. 小型化设计:U-DFN2020-6封装进一步提高了系统的小型化,同时提供了良好的热导性能,适合于空间受限制的应用场景。

五、应用领域

DMN1014UFDF-13适用于多个领域的应用,主要包括:

  • 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源电路。
  • 马达驱动:在无刷直流电动机(BLDC)驱动中,实现高效能的开关控制。
  • 电池管理系统:可用于锂电池的充电和放电管理,提高系统的安全性和效率。
  • 通信设备:在基站和路由器中的供电系统中,提供高效电源转换。

六、总结

DMN1014UFDF-13是一款采用现代设计理念和高性能材料的N通道MOSFET,凭借其优越的电气性能和热性能,成为多种电源管理及驱动应用的理想选择。适用于对功率、效率和可靠性有较高要求的现代电子设计,能够有效满足客户的多样化需求。在电源转换和电机控制领域的应用前景广阔,是工程师设计高效电路时的重要考虑元件。