型号:

IRFU420PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-251-3
批次:24+
包装:管装
重量:-
其他:
IRFU420PBF 产品实物图片
IRFU420PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 42W;2.5W 500V 2.4A 1个N沟道 TO-252
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.03
3000+
2.9
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@10V,1.4A
功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)360pF
反向传输电容(Crss@Vds)37pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRFU420PBF 产品概述

1. 概述

IRFU420PBF 是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名电子元器件供应商 VISHAY(威世)设计和制造。作为一种主要用于高电压和高功率电子应用的开关元件,IRFU420PBF的特性使其在诸如电源管理、工业控制、以及电动汽车驱动等多个领域中获得广泛应用。

2. 关键规格

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压 (Vdss):500V
  • 连续漏极电流 (Id):在25°C下可达2.4A
  • 驱动电压:最大Rds On下为10V
  • 最大导通电阻 (Rds(on)):3Ω @ 1.4A,10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg):最大19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss):最大360pF @ 25V
  • 功率耗散:在环境温度下最大2.5W,在结温下最大42W
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 封装类型:TO-251AA(符合通孔安装要求)

3. 性能特点

IRFU420PBF 采用高级MOSFET技术,提供高漏源电压(500V)和高连续漏极电流(2.4A)能力,适用于需要高电流或高电压工作的场合。其最大导通电阻为3Ω,意味着在工作状态下的能量损耗较低,符合现代功率电子对能效的要求。阈值电压(Vgs(th))为4V,使得其能够在较低的栅极驱动电压下实现导通,进一步降低了能源消耗并提升了整体系统效率。

另外,IRFU420PBF 的栅极电荷(Qg)为19nC,反映出其对驱动电路的要求较低,适合与各种栅极驱动器件配合使用。其输入电容 (Ciss) 最大值为360pF,为在高频应用中提供稳定的性能,降低了高频开关过程中的延迟和功耗。

4. 应用领域

由于 IRFU420PBF 的优异性能和广泛的工作温度范围,它在多个应用领域中表现出色:

  • 开关电源:广泛应用于开关电源的主开关,因其高电压和高频切换性能。
  • 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,用作电机控制以及能源回收系统中的开关元件。
  • 工业控制:在伺服控制系统和电机驱动中作为主要开关,具有良好的耐久性和可靠性。

5. 封装与安装

IRFU420PBF 采用 TO-251AA 封装,具有短引线设计,方便通孔安装。这种封装形式适合多种电子设备的设计,有助于增加散热效率,并保证在高功率情况下的稳定性和可靠性。TO-251AA的封装使得器件易于在密集的电路板上进行布局,减少空间占用。

6. 结论

综上所述,IRFU420PBF 是一款高性能的N通道MOSFET,其卓越的耐压、导通电阻和工作温度范围,使其成为现代电力电子技术需求的重要选择之一。其应用广泛,从工业自动化到电动汽车驱动,均能发挥重要作用。同时,VISHAY的品牌背书,进一步保证了产品的质量和稳定性,对于设计工程师而言,是推动项目成功的重要组件之一。

如需进一步了解产品信息或进行采购,与 VISHAY 官方渠道或授权代理商联系将是最佳途径。