型号:

MMDT4413-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:2年内
包装:编带
重量:0.015g
其他:
MMDT4413-7-F 产品实物图片
MMDT4413-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 40V 600mA NPN+PNP SOT-363
库存数量
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2878
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.271
3000+
0.24
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@150mA,1V;100@150mA,2V
特征频率(fT)250MHz;200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)750mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)

MMDT4413-7-F 产品概述

MMDT4413-7-F 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能双极型晶体管(BJT),它采用了易于在现代电路设计中集成的 SOT-363 表面贴装封装。这款晶体管的设计目标是提供卓越的线性性能和可靠性,很适合用于各种信号放大和开关应用。

1. 基本特性

  • 晶体管类型:MMDT4413-7-F 同时支持 NPN 和 PNP 配置,提供灵活性以适应不同的电路需求。
  • 集电极电流 (Ic):该元器件最大可承载的集电极电流为 600mA,使其能够在较大的设备中有效工作。
  • 集射极击穿电压 (Vceo):此晶体管的最大集射极击穿电压为 40V,能够处理相对较高的工作电压,允许在大部分商业和工业应用中使用。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的工作条件下,MMDT4413-7-F 的饱和电压降最大为 750mV(50mA 和 500mA 时),500mV 在 150mA 的 Ic 下,这意味着它在开关操作中具有较低的功率损耗。

2. 增益和工作频率

  • 直流电流增益 (hFE):该器件在 150mA 时,1V 年和 2V 下的直流电流增益最少为 100,确保在低电流条件下仍能稳定工作。高增益特性使得其在放大电路中表现优异。
  • 频率响应:MMDT4413-7-F 的跃迁频率分别为 250MHz (NPN) 和 200MHz (PNP),这使得它非常适合于高频通信和信号处理应用。同时的高频特性确保信号传输的顺畅和准确。

3. 温度和功耗特性

  • 工作温度范围:该器件可在 -65°C 至 150°C 的宽广范围内工作,适用于各种极端环境,使得其在汽车电子,航空航天,甚至某些工业应用中表现出色。
  • 最大功率:MMDT4413-7-F 的最大功率为 200mW,意味着在设计电路时,能够有效管理热失控问题而不影响元器件的长期稳定性。

4. 封装和安装

  • 封装类型:采用的是 SOT-363 表面贴装封装,这种封装体积小且便于自动化焊接,提高了生产效率和密度。
  • 安装方式:表面贴装型的设计使得在现代的电子产品中,与其他元器件的集成变得更加容易,有助于电路板的尺寸压缩和性能提升。

5. 应用领域

MMDT4413-7-F 广泛应用于多种电子产品,包括但不限于:

  • 消费电子产品:如音响放大器、便携式设备中的信号处理电路。
  • 汽车电子:如传感器信号放大、控制模块等。
  • 工业控制系统:如自动化设备中的开关和信号放大应用。

结论

MMDT4413-7-F 是一款可满足多种电子应用需求的双极型晶体管,凭借其高集电极电流、高频响应、宽温度范围及低饱和压降等优越特性,成为设计工程师在选型时的理想选择。对于那些要求电路高效、紧凑及具有良好热管理能力的环境中,MMDT4413-7-F无疑是非常有价值的解决方案。