型号:

ZTX658

品牌:DIODES(美台)
封装:EP3SC
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
ZTX658 产品实物图片
ZTX658 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 400V 500mA NPN
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.88
4000+
1.79
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)400V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@100mA,5V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+200℃

ZTX658 产品概述

一、基本信息

ZTX658是由Diodes Incorporated制造的一款高性能NPN晶体管,具有卓越的电气特性和宽广的工作范围,非常适合用于各类电子电路和工业应用。其主要参数包括: 最大集电极电流(Ic)为500mA,最大集射极击穿电压(Vce(BR))为400V,最大功率为1W,同时工作温度范围广泛,从-55°C到200°C。

二、设计与规格

ZTX658在设计上采用E-Line-3封装,兼容TO-92,可方便地进行PCB布局。其散装包装形式使得企业用户在采购时拥有更大的灵活性。作为一种有源元器件,ZTX658被广泛应用于放大和开关等电路中。该晶体管采用NPN结构,能够有效地控制电流流动,适用于各种需要信号放大的地方,比如音频放大器、射频放大器及开关电源等。

三、性能特点

  1. 电流增益与饱和压降: ZTX658在100mA集电极电流和5V的条件下,具有最低电流增益(hFE)达到50。同时,在Ib和Ic不同的情况下,Vce饱和压降的最大值为500mV,确保在开关状态下能有效降低功耗。

  2. 高频特性: 该晶体管的跃迁频率为50MHz,使其在高频电子应用中仍能提供稳定性。此特性使得ZTX658在无线通信、视频传输及其他要求高频响应的电路中大放异彩。

  3. 低集电极截止电流: ZTX658的集电极截止电流(ICBO)最大值为100nA,对于低功耗电路设计来说,这一特性意味着在非导通状态下极小的漏电流,进一步提高了电路的能效。

  4. 宽广的工作温度: 其超宽的工作温度范围使得ZTX658能够在极端环境条件下可靠工作,适应各种工业和消费电子应用。

  5. 稳健的电压特性: 该器件的最大集射极击穿电压达到400V,能够在各种高电压应用中保证安全性和高效性,这使得ZTX658可以广泛应用于需要处理高电压信号的电子设备。

四、应用场景

ZTX658因其强大的性能,被广泛应用于各个领域,包括但不限于:

  1. 音频放大器: 适用于低频和高频音频信号放大的需要,尤其在家庭音响、高保真系统中有着卓越表现。

  2. 开关电源: ZTX658能够作为开关元件在开关电源中处理高电压和高电流,确保电源的高效转换。

  3. 射频和无线通信: 由于其高频特性,非常适合用于发射和接收电路中,提升信号传输质量。

  4. 工业控制: 在PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业自动化设备中,ZTX658可以控制各种负载和执行器件,实现自动化控制。

  5. 消费电子: 被广泛用于电视、音响等消费电子设备中,通过有效控制信号放大和开关,提升用户体验。

五、总结

ZTX658是一款高性能、高稳定性的NPN晶体管,凭借其优秀的电气特性和广泛的应用范围,已经成为了电子设计人员的首选器件之一。伴随着科技的发展,ZTX658在各类高端电子设备中展现出更为重要的角色,适合用于音频放大、开关电源以及工业控制等多个领域,其卓越的性能和可靠性必将帮助实现更高效的设计需求。无论是在研发还是生产方面,ZTX658都将为您的项目提供有力支持。