型号:

DMN2029USD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:23+
包装:编带
重量:0.113g
其他:
DMN2029USD-13 产品实物图片
DMN2029USD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 5.8A 2个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
1420
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.753
2500+
0.697
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@4.5V,6.5A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18.6nC@8V
输入电容(Ciss@Vds)1.171nF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMN2029USD-13 产品概述

一、概述

DMN2029USD-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道 MOSFET,具有双通道配置,专为高速开关和功率管理应用而设计。其主要特点是高效的电流处理能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种电子电路中的理想选择。本型号 MOSFET 在 25°C 环境下,最大连续漏极电流(Id)可以达到 5.8A,漏源电压(Vdss)可承受高达 20V 的工作环境,提供稳定的性能并确保电路的可靠性。

二、主要参数

  1. 电气特性

    • Vdss:最大漏源电压为 20V,适合多种中低电压应用。
    • Id (连续漏极电流):在 25°C 时最大可达 5.8A,能高效传输电流。
    • 导通电阻(RDS(on)):导通电阻最大值为 25mΩ,@ 6.5A、4.5V 条件下表现出色,有助于减少功耗和热量发散。
    • Vgs(th):阈值电压达到最大 1.5V(@ 250µA),提升了开关控制的灵敏度。
    • Qg(栅极电荷):最大栅极电荷量为 18.6nC,@ 8V,优化了驱动开关所需的能量,从而提高了开关频率。
  2. 电容特性

    • Ciss (输入电容):最大输入电容为 1171pF,@ 10V,确保高频操作时的快速响应。
  3. 环境和安装

    • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,能够在极端温度条件下保持稳定性能,这使得该器件非常适合高温和低温环境应用。
    • 功率最大值:1.2W,在功率限制内可有效工作,适合低功耗设计。
    • 安装类型:表面贴装型(SMD),简化了PCB板的设计和布局,减少了元器件间的干扰。

三、应用场景

DMN2029USD-13 适合广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源:可用作开关管,提高开关电源效率。
  • 电动机驱动:在电机控制电路中,作为驱动开关元件以控制电机的启停和速度。
  • 电池管理系统:可用于电流监测和控制,提高电池管理系统的安全性和性能。
  • LED驱动器:因其低导通电阻和高开关效率,适合应用于LED驱动电路。
  • 消费电子产品:因封装小巧、性能优良,适合手机、平板电脑等消费设备中的电源管理。

四、总结

综上所述,DMN2029USD-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流处理能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种场合。其设计优化使其在电力效率和热管理方面表现突出,是现代电子设备中不可或缺的元器件选择。借助该器件,工程师可以设计出更高效、稳定的电源和开关电路,从而推动电子技术的进一步发展与应用。