型号:

ZTX758

品牌:DIODES(美台)
封装:EP3SC
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
ZTX758 产品实物图片
ZTX758 一小时发货
描述:Transistor,PNP,500mA,400V,E-line
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最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.38
4000+
2.28
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)400V
耗散功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE)50@100mA,5V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
工作温度-55℃~+200℃
射基极击穿电压(Vebo)7V

ZTX758 产品概述

概述

ZTX758是一款由Diodes Incorporated生产的高性能PNP型晶体管,专为需要较高电流和电压的应用设计。该器件在性能、稳定性和温度范围方面都表现出色,具有出色的工作特性和广泛的应用潜力适合各种电子设备和工业应用。它的主要参数包括额定集电极电流为500mA,集射极击穿电压高达400V,广泛适用于开关电源、功率放大器和线性电源等。

基本参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 包装: 散装
  • 晶体管类型: PNP
  • 电流 - 集电极(Ic): 最大值500mA
  • 电压 - 集射极击穿(VCE max): 400V
  • 功率 - 最大值: 1W
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值): 500mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(ICBO)最大值: 100nA
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值): 50 @ 100mA,5V
  • 频率 - 跃迁: 50MHz
  • 工作温度: -55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: E-Line-3(TO-92兼容)

性能特性

ZTX758的PNP型设计使其在低电压高电流的应用中具备理想的开关性能与线性放大性能。TC(温度系数)和hFE(DC电流增益)在不同的工作电流和电压下保持稳定,证明其在实际应用中的可靠性和可预测性。

  1. 饱和压降特性: 在10mA和100mA的工作条件下,该器件显示出最大500mV的饱和压降,这使得其在高效开关应用时表现优异。较低的VCE饱和电压可以减少功耗,提高系统的整体效率。

  2. 高集电极截止电流: ICBO(集电极截止电流)最大值为100nA,意味着ZTX758在关断状态下表现出色,能够有效降低静态功耗,这对低功耗电路设计至关重要。

  3. 高电流增益: 在工作电流为100mA时,ZTX758的hFE(增益)最低可达50,显示了其在电路中的驱动能力,特别是在高频信号放大和开关电路中具有良好的适用性。

应用场景

ZTX758广泛适用于以下应用场景:

  • 开关电源: 在开关电源中,能够处理较高电压和高电流的PNP型晶体管如ZTX758能有效地实现电源转换,并在高频下保持稳定的工作性能。

  • 功率放大器: 该晶体管适合在音频放大器和其他功率放大应用中使用,能够提供良好的线性特性,并减少失真。

  • 信号放大器: 由于其良好的频率特性,ZTX758还适合用于信号放大器应用,通过高增益和快速响应确保信号的完整性。

  • 自动控制电路: 可用于传感器信号处理、位置控制和电动机驱动等各种自动控制电路。

结论

ZTX758作为PNP型晶体管,不仅在技术参数上表现卓越,还具有广泛的应用场景,适合现代电子设备及高性能电子应用。其出色的电流增益和宽工作温度范围,结合Diodes Incorporated优质的制造工艺,使其成为需要大功率、高效率和可靠性的设计师的理想选择。对于任何在高电压和高电流下工作的电子组件,ZTX758都是一个值得考虑的关键元件。