ZVN2110A

产品概述：ZVN2110A

ZVN2110A是一款由Diodes Incorporated制造的N通道增强型垂直DMOS场效应管（MOSFET），它以其高性能特点广泛应用于各类电子电路中。该产品专为要求高功率密度和高效能的应用场合而设计，具有显著的电流控制能力和低导通电阻，适合用于开关电源、马达驱动、灯光调节等多种场景。

基础参数

• 制造商: Diodes Incorporated
• 零件状态: 有源状态，确保在电路中可被有效驱动。
• FET类型: N通道，适合用于高侧开关控制及电流源配置。
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），其优良的高开关速度和低功耗特性使其在现代电子电路中备受青睐。

性能特性

1. 电流承载能力:

   • 在25°C环境下，该器件可以连续承载高达320mA（Ta）电流，能够满足大多数中小型功率应用的需求。

2. 导通电阻:

   • ZVN2110A在不同电流与栅电压下，其最大导通电阻为4欧姆，适用于1A时的10V驱动条件。这一低导通电阻有助于降低功耗，提升系统效率。

3. 阈值电压:

   • Vgs(th)（最大值）为2.4V @ 1mA，这意味着在低电压下MOSFET能够迅速导通，从而提高开关效率。

4. 最大栅源电压（Vgs）:

   • 可承受最大栅源电压为±20V，适应广泛的应用及连接需求。

5. 功率耗散能力:

   • ZVN2110A的最大功率耗散为700mW（Ta），这使得该器件能够在较高的功率应用情况下保持可靠性和稳定性。

6. 环境温度范围:

   • 工作温度范围为-55°C到150°C（TJ），这使得ZVN2110A能够在极端环境中正常工作，适合要求高可靠性的工程项目。

电气特性

• 漏源电压（Vdss）: ZVN2110A的漏源电压可达到100V，适合高电压应用，比如电池驱动设备和电子开关。

• 输入电容（Ciss）: 在25V下，输入电容的最大值为75pF，这一低输入电容特点可提高开关速度，减少开关损耗。

封装与安装

ZVN2110A采用TO-92-3封装，且也适配TO-226-3外壳。其通孔安装类型设计简化了焊接过程，便于在实验以及小批量生产中使用。

应用领域

ZVN2110A适合广泛的应用领域，包括但不限于：

• 电源管理: 用于DC-DC转换器及开关电源的电流控制。
• 驱动电路: 可用于驱动小型直流马达及电磁阀。
• 功率开关: 优化各类电子设备中的开关控制。
• 灯光调节: 用于LED驱动电路，帮助实现渐变和调光功能。

总结

ZVN2110A是Diodes Incorporated推出的一款高效能N通道MOSFET，凭借其优异的电气性能、低导通电阻和良好的散热能力，成为现代电子电路中不可或缺的关键组件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，它都能提供卓越的性能表现，帮助设计师在追求电路高效能和低功耗的同时，实现设计创新与突破。