型号:

ZVNL120GTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:23+
包装:编带
重量:1g
其他:
ZVNL120GTA 产品实物图片
ZVNL120GTA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 200V 320mA 1个N沟道 SOT-223-3
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.72
100+
2.18
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)320mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10Ω@5V,125mA
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)85pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)7pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

ZVNL120GTA 产品概述

产品介绍

ZVNL120GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-223 封装,具有优良的电气性能和广泛的应用潜力。此器件特别设计用于高电压和中等电流的开关和放大应用,可有效满足各种工业及消费电子领域的需求。

关键参数

  • 电流:ZVNL120GTA 在 25°C 时的连续漏极电流(Id)可达到 320mA,适合在不同应用中进行高效的电流控制。
  • 漏源电压(Vdss):器件能够承受高达 200V 的漏源电压,适合用于高压环境中,确保在电力传输和转换过程中系统的稳定性和安全性。
  • 导通电阻(Rds(on)):在 5V 的栅极驱动电压下,最大导通电阻为 10Ω @ 250mA,这一低值的导通电阻有助于降低功率损耗,提升设备的能效和操作效率。
  • 栅压阈值(Vgs(th)):最大 Vgs(th) 为 1.5V @ 1mA,即使在较低的驱动条件下,ZVNL120GTA 也能迅速响应,使其特别适合低电压应用和高效能设计的需求。
  • 功率耗散:该器件的最大功率耗散为 2W,在长时间高负载工作时能够有效控制发热,增加了设备的。在多种应用环境下的可靠性。
  • 工作温度范围:ZVNL120GTA 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,这使得其可以在极端环境条件下稳定运行,无论是高温还是低温应用场合。

封装与安装

ZVNL120GTA 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装(SMD)技术,极大地适应现代电子设备的小型化和高密度布局的需求。SOT-223 封装还提供良好的热管理性能,有助于在高功率应用中保持器件的正常操作温度。

应用领域

ZVNL120GTA 的特性使其广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS):在高电压和高电流的环境中,该器件能够有效控制开关操作,提高电源转换效率。
  • 电机驱动:用于 DC 电机和步进电机的驱动,实现高效且精准的调速和控制。
  • 家用电器:可以用在冰箱、空调及洗衣机等家用电器中,提供高效的开关控制。
  • 汽车电子:适合用于汽车的各种电子设备,如电池管理系统、灯光控制等,实现高效能和高可靠性的系统设计。

结论

ZVNL120GTA 是一款功能强大、性能稳定的 N 通道 MOSFET,凭借其高度的可靠性、出色的电压和电流规格,成为现代电子设计不可或缺的元件之一。无论是在消费电子、工业控制还是汽车全系列应用中,它都能提供可靠的性能和高效率的工作方式。选择 ZVNL120GTA 意味着选择了稳定、耐用和高效能的电子元器件,可以为您的设计方案提供强有力的支持。