SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3 产品概述

基本信息

SI7489DP-T1-GE3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，专为现代电子电路设计而优化。该器件由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产，采用 PowerPAK® SO-8 封装类型，非常适合各种表面贴装应用（SMD），具有商业电气性能和高热管理能力。

关键规格

1. FET 类型：P 沟道 MOSFET，特别适合在高压、高电流的应用环境中实现高效能。
2. 漏源电压（Vds）：最大可承受 100V 的漏源电压，为系列设备提供广泛的应用范围。
3. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时，该 MOSFET 的连续漏极电流可达 28A，此特性使其在多种高电流下的电路配置中表现出色。
4. 导通电阻（Rds(on)）：在 Vgs 为 10V 和 Id 为 7.8A 时，最大导通电阻为 41 毫欧，确保在操作时损耗尽可能低，提高了能效。
5. 驱动电压和阈值电压：
   • 驱动电压：4.5V（最小 Rds(on)），10V（最大 Rds(on)），提供灵活的驱动选项。
   • Vgs(th)（阈值电压）：在 250µA 时最大为 3V，有助于确保 MOSFET 的稳定开启和关闭。
6. 栅极电荷（Qg）：最大值为 160nC @ 10V，表明该器件在开关速度响应方面具有良好的特性。
7. 输入电容（Ciss）：在 Vds 为 50V 时最大值为 4600pF，进一步支持高频应用中良好的响应能力。
8. 功率耗散：在环境温度下可达 5.2W，而在适当冷却条件下则可支持高达 83W 的功率耗散，展示了其强大的热管理能力。
9. 工作温度范围：能够在 -55°C 到 150°C 的宽幅温度范围内稳定工作，这使得该 MOSFET 在严苛环境中也能可靠运行。

应用领域

SI7489DP-T1-GE3 是一款多功能的 MOSFET，可以在广泛的电子应用中使用，包括但不限于：

• DC-DC 转换器：提供优秀的电流处理能力和低导通损耗，适合用于高效率的电源管理解决方案。
• 电机驱动：由于其高电流承载能力和快速切换特性，适合于电动机控制和驱动应用。
• 功率开关：在功率管理系统中，实现高效的电源开关应用，减少能量损失。
• LED 驱动：本器件具有低导通阻抗，可实现高效的 LED 照明解决方案。
• 自动化设备：在传感器和执行器电路中可提升性能，确保系统稳定性及可靠性。

封装与安装

SI7489DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，这种表面贴装封装设计不仅突破了传统封装技术的限制，提升了散热性能，还节省了PCB空间，便于高密度的电路板设计。该封装形式加强了电器芯片的电气性能，提高了整个系统的效能。

总结

作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET，SI7489DP-T1-GE3 结合了出色的电气特性和热特性，非常适合现代电子设计的各种需求。其广泛的应用场景和可靠的性能，使其成为电源管理、电机驱动等领域中的理想选择。无论在工业、消费电子还是汽车电子应用中，SI7489DP-T1-GE3 都能提供卓越的性能表现，是设计工程师值得信赖的元器件。