型号:

MMBT3906WT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-70-3(SOT323)
批次:24+
包装:编带
重量:0.032g
其他:
-
MMBT3906WT1G 产品实物图片
MMBT3906WT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 40V 200mA PNP SOT-323-3
库存数量
库存:
83600
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0982
3000+
0.078
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@0.1mA,1.0V
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:MMBT3906WT1G PNP晶体管

一、基本信息

MMBT3906WT1G 是 ON Semiconductor 生产的一款高性能PNP晶体管,主要用于各种电子电路的信号放大、开关应用及驱动电路等场景。该产品采用表面贴装型 (SMD) 封装,封装形式为 SC-70-3 (通常称为 SOT-323),具有小体积和良好的热特性,适合高密度电路板设计。

二、技术参数

  1. 电流和电压特性

    • 集电极电流(Ic):最大 200mA,满足多种低功耗应用需求。
    • 集射极击穿电压(Vce):最大 40V,确保在中等电信号应用下的安全运行,适用于多种负载条件。
  2. 饱和压降

    • Vce饱和压降:在 Ic = 5mA 或 50mA 时,最大为 400mV,这一特性可以降低能量损耗,提高电路的效率。
  3. 电流增益

    • DC电流增益(hFE):在 Id = 10mA 和 Vce = 1V 时,最小增益为 100,这意味着其具有很强的放大能力,对于需要高度线性放大的应用非常适合。
  4. 功耗与温度特性

    • 最大功率:150mW,适合在低功率环境中运行。
    • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,能够适应各种复杂环境,特别是高温或低温条件下的应用。
  5. 频率特性

    • 跃迁频率:可达到 250MHz,适合于高频电路设计,如RF放大器和开关电路。

三、应用场景

MMBT3906WT1G 可广泛应用于各类电子产品中,例如:

  • 音频放大器:由于其良好的增益特性和低噪声水平,适合用于音频信号的处理。
  • 开关电路:可以作为开关元件,控制更高功率的负载,常用于电源管理和驱动电路等。
  • 射频应用:高跃迁频率使其能够在高频信号放大电路中表现出色,适合用于无线通信设备。
  • 传感器接口:在采集信号的敏感应用中,可以有效放大微弱信号。

四、封装与安装

MMBT3906WT1G 采用 SC-70-3 (SOT-323) 封装,具备超小体积的优点,适合在空间有限的电路板上使用。同时,其表面贴装(SMD)类型使得安装流程更加简洁高效,适应现代电子器件的自动化生产趋势。

五、总结

MMBT3906WT1G 是一款综合性能优异的PNP晶体管,凭借其良好的电气特性和宽广的工作温度范围,适合于各类电子应用。无论是在音频放大、开关驱动还是在高频信号处理的场合,它都能够提供可靠的性能。随着全球电子设备小型化及高集成度的趋势,该款器件必将在未来的电子设计中得到更广泛的应用。

选择 MMBT3906WT1G,您将获得一款兼具高性能与可靠性的优秀晶体管,助力您的电子项目实现卓越的电气性能与设计灵活性。