型号:

DDTC114WUA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:23+
包装:编带
重量:0.014g
其他:
DDTC114WUA-7-F 产品实物图片
DDTC114WUA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存数量
库存:
2520
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.283
200+
0.182
1500+
0.158
3000+
0.14
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)24@10mA,5V

产品概述:DDTC114WUA-7-F

一、概览

DDTC114WUA-7-F 是一种高性能、低功耗的 NPN 型数字晶体管,适用于各种电子电路的应用。它采用 SOT-323 封装,设计优化以满足现代电子产品对于小型化、高效能的需求。该晶体管具有良好的功率管理能力和高频特性,适合用于开关电路、放大器以及数字逻辑电路等领域。

二、基本参数

  1. 晶体管类型: NPN - 预偏压
  2. 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 50V
  4. 基极电阻 (R1): 10 kΩ
  5. 发射极电阻 (R2): 4.7 kΩ

三、电气特性

DDTC114WUA-7-F 拥有多项优异的电气性能:

  1. 直流电流增益 (hFE): 在10mA和5V条件下,最小值达 24,确保在一定的基础偏置电流下,有效的输出电流增益。
  2. 饱和压降 (Vce): 在500µA与10mA电流条件下,其最大饱和压降限制为300mV,这意味着该晶体管在饱和状态下的低能耗表现,增强了系统的整体效率。
  3. 截止电流: 最大值为500nA,表示在非导通状态下,其漏电流非常微小,降低了对电源的消耗。
  4. 频率特性: 跃迁频率达到250MHz,意味着它可以稳定地在较高频率下工作,适合用于高速信号处理应用。

四、功率管理与散热

该晶体管的最大功率为200mW,确保了在高负载条件下的可靠性。它的有效散热设计符合现代电子设备对于热管理的要求,能够更好地适应各种工作温度,并延长使用寿命。

五、封装与安装

DDTC114WUA-7-F 使用的是 SOT-323 封装,这种小巧的表面贴装型设计使得它适合于紧凑型电路板布局,广泛应用于手机、便携式电子设备及相关消费电子产品。灵活的安装方式也为设计工程师提供了更大的设计空间,支持快速布局与集成。

六、应用场景

  1. 开关电路: 适用于各种开关控制场合,如电源开关、LED 驱动等。
  2. 放大器设计: 基于其高增益特性,可以在信号放大应用中发挥至关重要的作用,适用音频、视频信号放大等。
  3. 数字电路: 具有优良的饱和特性与低功耗特点,可广泛用于数字电路中的逻辑门设计。

七、市场与品牌

DDTC114WUA-7-F 由 DIODES(美台)公司制造,凭借其可靠的品质和竞争力,已成为全球电子市场中备受欢迎的产品之一。DIODES 在器件可靠性、性能和创新方面享有较好的声誉,确保自己所生产的每一款产品都能满足客户对高性能电子元器件的需求。

八、总结

综合上述特性,DDTC114WUA-7-F 是一种极具性能与应用潜力的 NPN 晶体管,适合于广泛的电子应用场景。它的小型 SOT-323 封装、良好的电流增益以及低饱和压降,使得它在高效开关、信号放大和数字电路设计中展现出卓越的能力。对于设计师而言,在寻求高效、可靠且便于集成的器件时,DDTC114WUA-7-F 无疑是一个理想的选择。