DMN31D6UT-7

产品概述：DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7 是一款优秀的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），专为高效能和小型化电子应用而设计。由 DIODES（美台）公司制造，该产品在其独特的 SOT-523 封装中集成了强大的性能特点，旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。

基础参数

1. FET类型： DMN31D6UT-7 是一款 N 通道 MOSFET，具有良好的开关特性，适合用于开关电源、电机驱动和信号放大等场合。
2. 漏源电压（Vdss）： 本器件能够承受最高达 30V 的漏源电压，这使其在多个电压范围的应用中具有广泛的适用性。
3. 电流处理： 在 25°C 环境温度下，DMN31D6UT-7 具有连续可承受 350mA 的漏极电流。这一特性使其适合用于需要较高电流的电路中。
4. 驱动电压： 本产品支持 2.5V 和 4.5V 的驱动电压，能够在不同的工作场景下保持优良的性能。
5. 导通电阻： 在 4.5V 驱动电压下，DMN31D6UT-7 展示了较低的导通电阻，最大值为 1.5 欧姆（在 100mA 的情况下），这对于降低功耗和提高电路效率至关重要。
6. 栅极电压阈值（Vgs(th)）： 本器件的最大栅极阈值电压为 1.4V（在 250µA 下），使其在较低电压驱动下能够有效开启。
7. 栅极电荷 (Qg)： DMN31D6UT-7 在 4.5V 时，栅极电荷最大为 0.35nC，表明它具有较低的驱动功率损耗，这对于高速开关应用尤为重要。
8. 输入电容 (Ciss)： 在 15V 下，该器件的最大输入电容值为 13.6pF，低输入电容有助于减小开关延迟，提高总体开关频率。
9. 功率耗散： 最大功率耗散为 320mW，确保器件能够在较高功率下安全稳定运行。
10. 工作温度范围： 该 MOSFET 拥有广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），适用于极端环境下的应用，满足高可靠性设计需求。

封装与安装

DMN31D6UT-7 采用 SOT-523 封装，这种紧凑的表面贴装型设计非常适合于空间受限的电路板。SOT-523 封装的优点在于其出色的热管理特性和电气性能，能够有效降低元器件的工作温度，进一步提高系统的整体效率。

应用场合

DMN31D6UT-7 可以广泛应用于多种电子设备，例如电源管理系统、LED 驱动、自动化控制、家电、移动设备等。这款 MOSFET 由于其出色的电流处理能力和低功耗特性，特别适合于高效能电源转换器和驱动电路，在需要高开关频率和低热量耗散的场合中表现优异。

结论

综上所述，DMN31D6UT-7 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，结合了先进的电气特性和高可靠性的设计，适用于各种现代电子设备。无论是在高效开关及功率管理中，还是在要求严格的环境下，该产品均能提供可靠的支持。选择 DMN31D6UT-7，将为您的项目带来优越的性能和稳定性。