型号:

BCW68GLT3G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:-
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
BCW68GLT3G 产品实物图片
BCW68GLT3G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 225mW 45V 800mA PNP SOT-23
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最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
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0.0716
10000+
0.0588
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)800mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@10mA,1.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)20nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)700mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:BCW68GLT3G PNP晶体管

简介

BCW68GLT3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能PNP型双极性晶体管 (BJT)。该器件特别适用于需要高电流和高电压处理的各种电子电路,具有优良的线性特性和开关性能。它的设计考虑了广泛的应用场景,包括线性放大器、开关电源和其他通用电子应用,因此在现代电子产品中得到了广泛的认可。

关键参数

  1. 电流 (Ic) 最大值: 该器件可以承受最大集电极电流为800mA,能有效处理大电流应用。
  2. 电压 (Vce) 最大值: 集射极击穿电压的最大值为45V,使其适用于中等电压电路,提供可靠的性能。
  3. 饱和压降: 当Ic为30mA和300mA时,Vce饱和压降最大为1.5V,这一性能指标对降低功耗和热量产生至关重要。
  4. 截止电流: 最大截止集电极电流为20nA,展示了其良好的关断特性,适合于低功耗设计。
  5. DC电流增益 (hFE): 在10mA的Ic和1V的Vce下,最小hFE为120,表明器件在正常操作条件下具有良好的增益特性,有助于改善信号放大能力。
  6. 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为225mW,允许其在合理的散热条件下进行连续工作。
  7. 频率响应: 工作频率可达100MHz,使其可用于高速开关应用,满足高频电子设备的需求。
  8. 工作温度范围: BCW68GLT3G的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在极端环境条件下稳定运行。

封装与安装

BCW68GLT3G采用SOT-23-3 (TO-236)表面贴装封装,这种紧凑而有效的封装类型使得器件在空间受限的板级设计中非常适用。表面贴装技术不仅简化了自动化焊接过程,还提高了PCB的设计灵活性,减少了整体电路的尺寸。

应用场景

BCW68GLT3G的多种特性使其在不同的电子应用中非常受欢迎,包括但不限于:

  • 开关电源:可用作功率控制器件,稳定输出电流并提高效率。
  • 线性放大器:适合音频放大器和高增益放大器的设计,能够减少失真并保持信号完整性。
  • 信号切换:在数字电路中可作为开关,用于调节信号路由器。
  • 高频开关应用:适用于需要快速开关频率的工业控制设备。

结论

BCW68GLT3G是一款功能强大的PNP晶体管,凭借其优越的电气特性和宽广的工作环境,成为各类电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,该器件都能为设计工程师提供高性能和高可靠性的解决方案。安森美半导体提供的文档和支持,助力工程师更好地应用这一元器件,满足日益增长的市场需求。通过选择BCW68GLT3G,设计师们可以确保其产品在功能性和可靠性上的优秀表现。