型号:

SBC847BPDW1T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
批次:-
包装:编带
重量:0.028g
其他:
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SBC847BPDW1T1G 产品实物图片
SBC847BPDW1T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 380mW 45V 100mA NPN+PNP SOT-363-6
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最小包:3000
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0.145
3000+
0.128
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)380mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)150@10uA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@100mA,5.0mA
工作温度-55℃~+150℃

SBC847BPDW1T1G 产品概述

一、产品简介

SBC847BPDW1T1G 是一款由安森美 (ON Semiconductor) 生产的高性能晶体管,属于双极型晶体管(BJT)系列,提供了优异的电气性能和可靠性。该晶体管以其出色的工作特性,适用于各种电子电路中的开关和信号放大应用,是现代电子设备中不可或缺的基本元件。

二、主要特性

  1. 晶体管类型: SBC847BPDW1T1G 是一款 NPN 和 PNP 类型的双极型晶体管,具备良好的电流放大能力。
  2. 电流和电压:
    • 最高集电极电流 (Ic): 100mA,能够满足多种应用下的负载需求。
    • 最高集射极击穿电压 (Vceo): 45V,适合在低至中压环境中工作,确保高电压应用的安全性。
  3. 饱和压降: 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,Vce 的饱和压降最大值为 600mV @ 5mA 和 100mA,表明在开关状态下能够实现较低的功耗,提高了电路的效率。
  4. 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为15nA,具备极低的静态功耗,有助于提升设备的能源效率。
  5. 直流电流增益 (hFE): 有效的电流增益在 2mA 和 5V 下,最小值为200,显示出其良好的放大性能。
  6. 频率特性: 该产品的跃迁频率高达 100MHz,适合高速开关和高频信号放大的场景。

三、物理参数

  1. 功率耗散: SBC847BPDW1T1G 具有最大功率耗散能力为 380mW,确保能够在高负载的环境中长时间可靠工作。
  2. 工作温度范围: 工作温度范围广泛,从 -55°C 至 +150°C (TJ),使其可在严苛的环境下也能稳定工作。
  3. 封装类型: 该晶体管采用 6-TSSOP,SC-88 和 SOT-363 表面贴装封装,体积小巧,适合空间有限的电路设计。

四、应用领域

SBC847BPDW1T1G 由于其优秀的性能和适应性,可广泛应用于以下领域:

  1. 消费电子: 如音响设备、电视、和便携式设备等,需对音频信号进行放大和处理。
  2. 汽车电子: 可用于汽车电子控制单元 (ECU),驱动传感器和执行器,确保在高温、高湿的环境中运行不变。
  3. 工业设备: 在工业控制系统中,作为开关元件和信号放大器,提高系统的自动化和可靠性。
  4. 通信设备: 在无线通讯与网络设备中,应用于信号增强和处理,支持高速数据传输。

五、总结

SBC847BPDW1T1G 是一款多功能、高性能的 NPN 和 PNP 双极型晶体管,具备良好的电流增益、低饱和压降和更高的工作频率,能够在各种苛刻应用中保持卓越的性能。其广泛的工作温度范围及小巧的封装设计,使其成为现代电子设备设计中一项理想的选择。无论是在消费电子、汽车、工业、还是通信领域,SBC847BPDW1T1G 都将以其出色的性能和可靠性,为您的设计带来更大的灵活性和高效性。