描述：场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 30V 40A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
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3.21
750+
2.97
1500+
2.83
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)28.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@10V,15A
功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.595nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)79pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
SIS476DN-T1-GE3 产品概述
引言
SIS476DN-T1-GE3 是来自 VISHAY（威世）的高性能 N 沟道 MOSFET，采用表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 封装设计。本产品以其优异的导通电阻、宽广的工作温度范围和可靠的电气特性，广泛应用于各类高效电源管理和开关电路中。其目标是满足现代电子设备对高功率密度和高效率的需求，尤其适用于各种动力应用、DC-DC 转换器和负载开关等场合。
基础特性
SIS476DN-T1-GE3 的关键参数包括：
- 功率耗散：该 MOSFET 在环境温度下的最大功率耗散为 3.7W，在结温条件下则可达 52W。这使得其在高负载情况下仍能保持优良的热管理性能。
- 漏极电流：其连续漏极电流 (Id) 最大可达 40A（在结温条件下），满足高功率应用的要求。
- 漏源电压：漏源电压 (Vdss) 可承受高达 30V，确保在不同稳定工作条件下的安全性和可靠性。
电气特性
SIS476DN-T1-GE3 的电气特性在其类别中表现突出：
- 导通电阻：不同 Id 和 Vgs 条件下，其最大导通电阻 (Rds(on)) 仅为 2.5 毫欧（在 15A 和 10V 时），这降低了功耗并提高了效率。
- 驱动电压：支持的最小和最大 Rds(on) 驱动电压为 4.5V 和 10V，提供灵活的操作选项，适应多种驱动需求。
- 栅极电荷：在 10V 的驱动条件下，栅极电荷 (Qg) 的最大值为 77nC，具有较低的驱动功耗，适合高频应用。
温度和可靠性
该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C (TJ)，这使其能够在极端环境下稳定工作，适合包括汽车电子、工业设备和军事应用在内的多种领域。同时，其栅极到源极的最大电压（Vgs）为 +20V 和 -16V，进一步增强了其在电气冲击和过载条件下的耐用性。
设计考量
在设计和集成 SIS476DN-T1-GE3 时，开发人员需要充分考虑其热管理需求和电气特性。优化散热设计，例如通过使用适当的散热片或增强PCB散热能力，可以极大提升该器件的性能和寿命。此外，由于其出色的导通电阻和栅极驱动特性，设计者可以在高效电源转换的同时，降低系统的整体功耗。
应用领域
SIS476DN-T1-GE3 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- DC-DC 转换器：在电源管理模块中提升转换效率，减少损耗。
- 电机驱动：在电动机控制电路中高效驱动电机负载。
- 开关电源：用于高频开关电源设计，提升系统整体效率。
- 负载开关：用于控制高电流负载的接通和断开，确保安全可靠。
结论
总之，SIS476DN-T1-GE3 是一款具有高功率处理能力和卓越性能的 N 沟道 MOSFET。凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围和低导通电阻等优势，该产品不仅满足了现代电子设计的需求，还为各类应用提供了可靠的解决方案。无论在电源管理、开关电路还是高效电机驱动系统中，SIS476DN-T1-GE3 都是值得信赖的选择。