型号：
SI5475DDC-T1-GE3
品牌：VISHAY(威世)
封装：1206-8 ChipFET™
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：表面贴装型 P 通道 12 V 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET™
库存数量
库存：
0
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最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.41
100+
1.13
750+
1.01
1500+
0.954
产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）32 毫欧 @ 5.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）50nC @ 8V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1600pF @ 6V
功率耗散（最大值）2.3W（Ta），5.7W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装1206-8 ChipFET™
封装/外壳8-SMD，扁平引线
SI5475DDC-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI5475DDC-T1-GE3 是由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品的一款 P 通道 MOSFET。这款MOSFET设计用于提供高效能、低导通损耗和优异热管理的解决方案，广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。其优越的电气性能和可靠的工作温度范围使其成为了中高功率应用中的理想选择。
二、主要特性与参数
FET 类型与技术：
- 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为12V，适用于需要低到中等电压控制的应用。
- 连续漏电流（Id）：在25°C环境温度下，SI5475DDC-T1-GE3 的连续漏极电流可达6A，确保在负载情况下的稳定性和可靠性。
- 驱动电压：最大 Rds On 值的驱动电压为1.8V，最小驱动电压为4.5V，便于集成于低电压应用中。
- 导通电阻：根据不同的漏电流 Id 和栅极电压 Vgs，最大导通电阻可达到32毫欧（在5.4A、4.5V的情况下），确保高效率的电流传输。
输入特性：
- Vgs(th)：该器件的栅极阈值电压最大值为1V（@ 250µA），能有效降低开关损耗。
- 栅极电荷（Qg）：在8V栅极驱动下，最大栅极电荷为50nC，适合快速开关需求的高频应用。
- 输入电容（Ciss）：在6V时，最大输入电容为1600pF，确保低跳变损耗和良好的频率响应。
功率耗散与工作温度：
- 最大功率耗散能力为2.3W（环境温度Ta），以及5.7W（在晶体管温度Tc下），允许在高功率应用中稳定运行。
- 工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，能够适应各种极端环境，适用于汽车、工业和消费类电子产品等领域。
封装信息：
- SI5475DDC-T1-GE3采用了1206-8 ChipFET™的表面贴装封装，具有优良的空间节约特性，适合高密度电路板设计。这种8-SMD扁平引线设计使得操作过程中的热管理更加高效，同时便于自动化焊接和组装。
三、应用领域
SI5475DDC-T1-GE3 的优良电气性能和宽广的工作温度范围使其适合多种应用场合，包括但不限于：
- 电源管理系统：适合用于作为电压调节器和开关电源中的开关元件。
- 便携式设备：非常适合用于电池供电设备中的电源开关，以延长电池使用寿命。
- 电机驱动控制：可用于小型电机控制模块中的开关元件，提高整体系统效率。
- 汽车电子：在车辆中的电源分配和管理系统，可承受汽车工作环境中的高温和低温。
四、总结
SI5475DDC-T1-GE3 是一款卓越的 P 通道 MOSFET，凭借其低电源电压、高连续漏电流和广泛的工作温度范围，为用户提供了高效率和高可靠性的解决方案。无论是在对电源管理有严格要求的应用中，还是在需要频繁开关的电路中，SI5475DDC-T1-GE3 都能够满足现代电子产品日益增长的性能需求。通过精心设计与工程改进，VISHAY 的这款 MOSFET 确立了其在电子元器件市场中的重要地位并赢得了用户的信任。