型号：
SI4336DY-T1-E3
品牌：VISHAY(威世)
封装：8-SO
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET RECOMMENDED ALT SI46
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.1
100+
1.62
1250+
1.4
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.25 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）50nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5600pF @ 15V
功率耗散（最大值）1.6W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI4336DY-T1-E3 产品概述
概述
SI4336DY-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由威世（VISHAY）公司生产，专门设计用于高效的电子开关和放大应用。适用于广泛的电源管理、马达控制和逆变器等场景，具有出色的热性能和电气特性，使其成为现代电子应用的理想选择。
关键特性
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源电压为30V，允许其在较高电压环境下安全运行。
- 连续漏极电流（Id）: 在25摄氏度的环境下，该MOSFET能够承受高达17A的连续漏极电流，适合高负载应用。
- 导通电阻（Rds On）: 该MOSFET在10V的栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻为3.25毫欧@25A，确保了低导通损耗，提升了总效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）: M проп/dev 具有较低的阈值电压，最大值为3V @ 250µA，这有助于在较低的栅驱动电压下启动，提高了电路的灵活性和效率。
- 栅极电荷（Qg）: 在4.5V下最大栅极电荷为50nC，意味着在开关操作时消耗的驱动脉冲能量更少，从而提高了开关速度和效率。
- 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为5600pF @ 15V，确保快速开关同时使其能够处理高频信号。
热性能
SI4336DY-T1-E3 的功率耗散最大值为1.6W，能够在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内保持稳定运行。其良好的热性能使其适合在严苛环境下的长时间稳定工作，尤其是在汽车和工业设备等要求高可靠性的应用中。
封装与安装
该MOSFET采用8-SOIC封装，宽度为3.90mm，表面贴装型设计使其便于自动化制造，节省空间并提供更好的散热能力。8-SO封装不仅有助于提高装配密度，还增加了电路板的设计灵活性。
应用领域
SI4336DY-T1-E3 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
- 电源供应: 由于其低导通电阻和高额定电流，适合用于开关电源和直流-直流转换器。
- 马达控制: 该器件能有效控制直流电机及无刷电机，提升驱动效率。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中，该器件能帮助提高电能转换效率。
- 汽车电子: 由于其高耐温性和可靠性，适用于汽车电气系统，如启动电路和电池管理。
总结
SI4336DY-T1-E3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，适用于多种应用场景。其高额定电压和电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，使其成为许多现代电子设备中的关键元件。威世公司凭借其在电子元器件领域的专业经验，为用户提供了可靠的解决方案，确保在高性能应用中的稳定性和高效性。