型号：

SI4172DY-T1-GE3

品牌：VISHAY(威世)
封装：8-SO
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
SI4172DY-T1-GE3 产品实物图片
SI4172DY-T1-GE3 一小时发货
描述：MOSFET RECOMMENDED ALT SI41
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100+
1.15
1250+
1
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）12 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）820pF @ 15V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），4.5W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

SI4172DY-T1-GE3 产品概述

SI4172DY-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世半导体）推出的高性能 N 通道 MOSFET，特别设计用于电源管理和开关应用，其优越的参数使其在各类电子设备中得到广泛应用。该器件具有卓越的导通性能和低导通电阻，是高效率电力转换电路和开关控制电路的重要组成部分。

基本参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）: 最高可达 30V，有效支撑多种低电压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 15A（在 25°C 条件下），适合大功率电流下的应用。
  • 驱动电压: 适配 4.5V 到 10V 的驱动电压，使得其可与多种控制信号兼容。

导通电阻与阈值电压

SI4172DY-T1-GE3 特别的导通电阻（Rds(on)）是其一大亮点。在 10V Vgs 下，Rds(on) 在 11A 时的最大值仅为 12 毫欧，确保在高电流操作时仍能保持低温和高效率。这种低导通电阻特性使其在需要高效率电能传输的应用中表现优异。

该器件的阈值电压 (Vgs(th)) 最高为 2.5V（在 250µA 流量下），使得该 MOSFET 在较低的栅极电压下就能够被有效驱动，从而提高系统的适用性和灵活性。

电气特性

SI4172DY-T1-GE3 的输入电容 (Ciss) 在 15V 下的最大值为 820pF，显示出其在高频应用下的良好响应能力。同时，栅极电荷 (Qg) 的最大值为 23nC（在 10V 下），意味着在开关频率较高的环境中，能够较快地充放电，从而提高整体系统的工作效率。

功率损耗与工作温度

该 MOSFET 的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度 Ta）和 4.5W（在结温 Tc），使其适合在高功率的应用中安全运行。具有宽广的工作温度范围（-55°C 到 150°C），确保在极端环境下仍能稳定工作，展现了良好的可靠性。

封装与安装

SI4172DY-T1-GE3 使用 8-SO（8 引脚小外形扁平封装），这种表面贴装型的设计便于在现代电子电路中进行紧凑布局，高度适应自动贴片生产线的需求。同时，3.90mm 宽的封装设计有助于更好的散热性能和环境适应性。

应用领域

SI4172DY-T1-GE3 广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于：

  • 开关电源（Switching Power Supplies）
  • 电机控制驱动
  • DC-DC 转换器
  • 高效能直流/交流电源
  • LED 驱动电路

总结

VISHAY 的 SI4172DY-T1-GE3 N 通道 MOSFET 是一款结合了高性能、可靠性和灵活性的器件，适合用于要求高效率和低功耗的各类电源和开关应用。凭借其优异的电气特性和广泛的应用前景，SI4172DY-T1-GE3 无疑是现代电子设计中不可或缺的元件之一。