型号：
SI5433BDC-T1-GE3
品牌：VISHAY(威世)
封装：1206-8 ChipFET™
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：表面贴装型 P 通道 20 V 4.8A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.658
200+
0.453
1500+
0.412
产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）37 毫欧 @ 4.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±8V
功率耗散（最大值）1.3W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装1206-8 ChipFET™
封装/外壳8-SMD，扁平引线
SI5433BDC-T1-GE3 产品概述
基本信息
SI5433BDC-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为要求严格的电子设备而设计。此器件出自知名品牌 VISHAY（威世），能够在广泛的应用环境中提供出色的可靠性和性能。其封装类型为表面贴装型，型号为1206-8 ChipFET™，非常适合当前电子产品中对空间和散热要求越来越高的设计需求。
电气特性
SI5433BDC-T1-GE3 的核心参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：此器件的漏源电压为 20V，使其适用于低压应用环境。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件能够承受高达 4.8A 的连续漏极电流，使其适合用于低阻抗、高效率的电源管理和线性调节器设计。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 4.5V 的栅源电压下，其最大导通电阻为37毫欧，这确保了其在开关状态下的高效能，降低了能量损耗并提高了整体系统的效率。
驱动参数
- 驱动电压：SI5433BDC-T1-GE3 有两种最大 Rds(on) 驱动电压，即 1.8V 和 4.5V，适应不同的电路设计需求。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的最大 Vgs(th) 为 1V，随着电流的变化，确保器件在接近阈值时仍能快速响应。
- 栅极电荷（Qg）：最高栅极电荷为 22nC，保证快速开关特性，以支持高频率的应用场合并减少开关能量损失。
工作及环境条件
SI5433BDC-T1-GE3 具有优良的温度适应性，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在极端环境下仍能可靠运行。与此同时，器件的最大功率耗散能力为 1.3W（在 25°C 环境温度下），使其在实际应用中能保持低温运行，延长产品的使用寿命。
封装特性
该器件采用 1206-8 ChipFET™ 封装，兼具小型化与高集成度，适合现代电子产品如手机、平板电脑和其它便携设备。表面贴装类型的设计使得该器件易于自动化生产，加快了组装过程。
应用领域
SI5433BDC-T1-GE3 可以广泛应用于各种电子设备，尤其是在低压高流量的应用中，诸如：
- 电池供电设备
- DC-DC 转换器
- 开关电源
- 电机驱动控制
- 以及各类消费类电子产品
总结
VISHAY 的 SI5433BDC-T1-GE3 MOSFET 是一款高效、可靠的 P 通道 FET，具有广泛的电气特性和出色的工作环境适应性。其低导通电阻、高电流承载能力和合理的功率耗散，使得该器件非常适合当前对电子元器件性能要求日益提升的市场需求。无论是在消费电子还是工业应用中，SI5433BDC-T1-GE3 都能为设计师提供灵活、高效的设计选择，帮助开发更具竞争力的产品。