描述：Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)
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产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）430 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）40nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2300pF @ 25V
功率耗散（最大值）50W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220SIS
封装/外壳TO-220-3 整包
TK13A60D(STA4,Q,M) 产品概述
产品名称： TK13A60D(STA4,Q,M)
品牌： TOSHIBA（东芝）
类型： N 通道 MOSFET
一、概述
TK13A60D(STA4,Q,M) 是一款高性能的 N 通道功率 MOSFET，专为高电压、大电流应用设计。该元件具有 600V 的漏源电压(Vdss)，最大连续漏极电流（Id）为 13A，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备。其优越的热特性和较高的功率耗散能力（最高可达 50W）使其在各种应用中表现出色。
二、主要参数特点
电气特性
- 漏源电压 (Vdss): 600V，适合高电压工作环境。
- 连续漏极电流 (Id): 13A @ 25°C，能够支持多种中到高功率负载。
- 输入电容 (Ciss): 最大值 2300pF @ 25V，保证了高频下的工作性能，降低开关损耗。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下，最大导通电阻为 430 毫欧，意味着高效率的能量传递。
栅极特性
- 栅-源阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 1mA，确保 MOSFET 可在较低的栅压下触发，提升开关效率。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时最大值为 40nC，支持快速开关，适合于高频应用。
- 最大栅源电压 (Vgs): ±30V，提供了较大的栅源电压容忍度，有助于简化驱动电路设计。
热特性
- 工作温度 (TJ): 150°C 提供了在严酷环境下的可靠性，适合高温应用。
- 功率耗散 (Pd): 最大值 50W，适用于中高功率电源管理的设计。
封装与安装类型
- 封装类型: TO-220-3 整包，通孔安装类型，便于散热性能及布局设计。
- 供应商器件封装: TO-220SIS，符合工业标准，便于在各种电路板上使用。
三、应用场景
TK13A60D(STA4,Q,M) MOSFET 适合于多种电力电子应用，如：
- 开关电源(SMPS)：由于其出色的导通特性，可降低功率损耗，提升整体效率。
- 不同类型的电机驱动：适用于直流电机控制和步进电机驱动，具有快速开关能力和高电流承载能力。
- 电源管理：在需要高压、高电流处理的场合，如不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)中展现其价值。
- 照明控制电路及LED驱动：凭借其快速开关特性，能够提升 LED 照明系统的效率。
四、总结
TK13A60D(STA4,Q,M) 是东芝出品的一款优秀的 N 通道 MOSFET，其600V 的电压承受能力和高达 13A 的电流特性，使其成为高性能电力电子应用的理想选择。结合其低的导通电阻、快速的开关能力及良好的热特性，这款 MOSFET 提供了出色的解决方案，满足了现代电源设计对高效率、高可靠性的要求。无论在什么样的电力电子环境中，TK13A60D 都是一个值得信赖的选择。