T2N7002BK,LM

T2N7002BK, LM 产品概述

T2N7002BK, LM 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），专为满足多种应用需求而设计。此器件由知名电子元器件制造商 TOSHIBA（东芝）推出，具有招牌的可靠性和高效能，适合在电源管理、开关电路和模拟信号处理等场景中使用。

基本参数

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
3. 漏源电压（Vdss）: 60V
4. 连续漏极电流 (Id): 25°C 时可达 400mA
5. 驱动电压:
   • 最大 Rds On: 10V
   • 最小 Rds On: 4.5V
6. 导通电阻 (Rds On):
   • 最大值: 1.5 欧姆 @ 100mA, 10V
7. 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 2.1V @ 250µA
8. 栅极电荷 (Qg): 最大值 0.6nC @ 4.5V
9. Vgs（最大值）: ±20V
10. 输入电容 (Ciss): 最大值 40pF @ 10V
11. 功率耗散: 最大值 320mW（Ta）
12. 工作温度: 150°C（TJ）
13. 安装类型: 表面贴装型
14. 封装类型: SOT-23-3（TO-236-3，SC-59）

性能特点

T2N7002BK, LM 的设计目标是提供高效能及低功耗。这款 MOSFET 在典型的工作条件下可以实现快速开关和较低的导通电阻，尤其适合于低电压小功率应用。它的最大漏源电压为60V，使其可以广泛应用于许多工业与消费电子产品中。

1. 低导通电阻

该产品在最大 10V 的条件下，能够实现最高 1.5Ω 的导通电阻，这意味着在操作过程中可以显著降低功耗，并提高系统效率。此特性使得该器件适用于电源驱动、开关电源和类线性放大器等场合。

2. 适应性强

其最大阈值电压（Vgs(th)）为2.1V，确保其可以通过低电压信号进行控制，适合现代低电压数字电路。同时，该器件能承受高达±20V 的栅极电压，提高了设计的灵活性与可靠性。

3. 高温环境

T2N7002BK, LM 的工作温度可达到150°C，适合于高温应用环境，这对于需要高功率密度的电子设备尤其重要。它的耐热性能让使用该MOSFET的设备在严苛环境下仍能保持稳定性。

应用场景

T2N7002BK, LM 被广泛应用于以下领域：

1. 电源管理: 在开关电源和线性稳压电路中，作为主开关元器件，提升效率和稳定性。
2. 负载开关: 驱动小功率负载时，能够快速响应数据线的信号变化，非常适合低功耗设备。
3. 信号调节: 在模拟电路中用于信号转换和调节，可以保持信号完整性。
4. 电动机控制: 可用在小型电动机驱动中，实现简单而有效的控制算法。
5. LED 驱动: 应用于 LED 照明系统中，提供精准的电流控制。

结论

T2N7002BK, LM 是一款高效、可靠且多功能的 N 通道 MOSFET，其广泛的电气性能和适应性使其成为多种电子电路设计中的理想选择。无论是在电源管理、开关控制还是信号调节应用中，该器件均能为设计师提供优异的解决方案。随着电气设备向更高效能和低功耗的方向发展，T2N7002BK, LM 将继续在电子市场占据重要地位。