型号：
CSD17576Q5B
品牌：TI(德州仪器)
封装：VSON-Clip-8
批次：-
包装：-
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W；125W 30V 100A 1个N沟道 VSONP-8(5x6)
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.08
2500+
2.95
产品参数
属性参数值
制造商Texas Instruments
系列NexFET™
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）3.1W（Ta），125W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-VSONP（5x6）
封装/外壳8-PowerTDFN
漏源电压（Vdss）30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）68nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4430pF @ 15V
基本产品编号CSD17576
CSD17576Q5B 产品概述
一、产品简介
CSD17576Q5B是一款由德州仪器（Texas Instruments）制造的高性能N沟道MOSFET，属于其NexFET™系列。这款场效应管采用表面贴装型封装（8-VSONP，尺寸为5x6mm），专为高电流、高效率的应用场景设计。它特别适合于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及其他需要快速开关和高电流处理的电子电路。
二、基础参数
- 制造商及系列：由德州仪器生产的NexFET™系列MOSFET。
- 零件状态：该器件处于有源状态，适合商业应用。
- FET类型：N通道MOSFET，适合用于高效电源开关。
- 驱动电压：在4.5V和10V的不同条件下实现最小和最大导通电阻，提供了灵活的驱动选项。
- 最大连续漏极电流：在25°C环境温度下，CSD17576Q5B能够承受高达100A的连续漏极电流（Id），充分满足高功率应用的需求。
- 导通电阻：在25A，10V的条件下，该MOSFET的导通电阻最大为2毫欧，确保了低功耗操作。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：Vgs(th)最大值为1.8V，@250µA，表现出良好的开关特性。
- 最高漏源电压（Vdss）：可以承受高达30V的漏源电压，适合多种应用场景。
- 功率耗散：CSD17576Q5B的最大功率耗散为3.1W（环境温度：Ta）和125W（晶体管接合温度：Tc），这使得其在高温环境下仍然可以保持稳定性能。
- 工作温度范围：器件的工作温度范围广泛，达到-55°C至150°C，适合于各种环境条件下的应用需求。
- 电容特性：在15V的条件下，输入电容(Ciss)最大为4430pF，这对于开关速度和电源效率是相当重要的。
- 栅极电荷（Qg）：在10V条件下，栅极电荷（Qg）最大为68nC，说明该器件能够快速响应驱动信号，降低开关损耗。
三、应用领域
CSD17576Q5B适用于广泛的电子应用，如：
- DC-DC转换器：作为主要的开关元件，提供高效的电压转换和电力管理。
- 马达驱动：可在电动机控制电路中实现精确的速度和转矩控制。
- 电源供应：在不同的电源设计中，MOSFET可用于提高转换效率并降低功耗。
- 功率放大器：利用高电流和低导通电阻特性，提升信号传输质量和效率。
四、技术优势
- 优异的温度性能：宽广的工作温度范围适合各种恶劣环境使用，保持高可靠性。
- 高电流承载能力：100A的电流承载能力使其能够对高功耗应用做出很好的响应。
- 低导通电阻：低于2毫欧的导通电阻确保了高效能，降低了由于电流流动产生的热量。
- 快速开关特性：相对较低的栅极电荷提供快速响应能力，有效减少开关损失。
五、总结
CSD17576Q5B N沟道MOSFET是一款结合了高电流承载能力、低导通电阻及优越的温度性能的高效能电子元件。作为德州仪器的NexFET™系列产品之一，这款MOSFET不仅满足严苛的应用需求，也助力电子设计师在各种电源和马达驱动系统中实现高效的设计目标。无论在电源转换、马达控制，还是其他高电流应用中，CSD17576Q5B都展现出了其卓越的性能和广泛的适用性。