型号:

STW40N95K5

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-247-3
批次:-
包装:管装
重量:7.7g
其他:
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描述:场效应管(MOSFET) STW40N95K5 TO-247-3
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66.03
600+
64.41
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@10V,19A
功率(Pd)450W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)93nC@760V
输入电容(Ciss@Vds)3.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)2pF
工作温度-55℃~+150℃

STW40N95K5 产品概述

简介

STW40N95K5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。凭借其出色的电气性能和高可靠性,STW40N95K5被广泛应用于高电压和高功率的电子设备中,如开关电源、逆变器和电机驱动器等应用场景。该器件的封装为TO-247-3,便于在各种工业和消费类电子产品中实现高效散热。

主要参数

  • FET类型: N通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体)
  • 漏源电压(Vdss): 950V
  • 连续漏极电流(Id): 38A(25°C时,热管理条件为Tc)
  • 最大驱动电压: 10V
  • 导通电阻(最大Rds(on)): 130毫欧(19A,10V条件下)
  • 阈值电压(Vgs(th)): 5V(100µA条件下)
  • 栅极电荷(Qg): 93nC(10V条件下)
  • 最大栅源电压(Vgs): ±30V
  • 输入电容(Ciss): 3300pF(100V条件下)
  • 功率耗散: 450W(Tc条件下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: TO-247-3

性能优势

STW40N95K5以其950V的高漏源电压和38A的连续漏极电流为用户提供了卓越的高功率处理能力,适合用于更高电压的应用场合。此外,其典型的导通电阻(Rds(on))为130毫欧,能够有效降低开关损耗,提高整体系统的能效和可靠性。

该器件的栅极电荷(Qg)为93nC,说明其切换速度较快,因此在高频开关应用中也能够保持良好的性能。这种特性在现代的开关电源和逆变器设计中尤为重要,能够有效提升高频工作下的效率。

STW40N95K5的最大功率耗散为450W,确保用户在高功率应用中能够保持安全的工作温度。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C到150°C)使其适合在极端环境条件下工作,满足了军事和航空航天等特殊领域的需求。

应用领域

STW40N95K5被广泛应用于以下几个主要领域:

  1. 开关电源: 由于其低导通电阻和高耐压特性,该MOSFET适用于开关电源的开关元件,能够有效降低能量损耗并提高转换效率。

  2. 逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车驱动逆变器中,STW40N95K5可以驱动高电压电流,确保系统的稳定性和高效性。

  3. 电机控制: 该器件能够在电机驱动中提供高效的开关性能,确保电机运行的平稳性与效益。

  4. 工业应用: 由于其高功率处理能力和宽温工作范围,使得STW40N95K5成为工业设备中理想的选择,如电力变换及控制系统。

总结

STW40N95K5是一款高性能的N通道MOSFET,凭借出色的电气性能和广泛的应用范围,能够满足多种高功率、高电压场合的需求。其优越的热管理能力和良好的切换性能,使其在现代电子设计中成为不可或缺的高效能器件。无论是在工业自动化、能源供应还是消费电子领域,STW40N95K5都展现出其卓越的价值与性能,是设计师在选择元器件时的一项重要考虑因素。