型号:

STH310N10F7-6

品牌:ST(意法半导体)
封装:H2PAK-6
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
STH310N10F7-6 产品实物图片
STH310N10F7-6 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 315W 100V 180A 1个N沟道 H2PAK-6
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10.45
1000+
10.17
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.3mΩ@10V,60A
功率(Pd)315W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)180nC@50V
输入电容(Ciss@Vds)12.8nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)170pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:STH310N10F7-6

1. 产品简介

STH310N10F7-6 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该元件设计用于高电压和大电流应用,具备卓越的导电性能和热管理能力,适合各种电源管理和高功率驱动电路,如DC-DC转换器、逆变器、电动机驱动以及高效能的开关电源等。

2. 基本参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体)
  • 最大漏源电压 (Vdss): 100V
  • 连续漏极电流 (Id): 180A (T_c = 25°C)
  • 驱动电压: Vgs = 10V(最小 Rds(on)),确保更优的开关速度和效率
  • 导通电阻: 最大值为 2.5 毫欧,测得条件为 60A 和 10V 驾动电压,提供低损耗的数据传输
  • 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3.8V @ 250µA,这保证了在较低的栅电压下也能实现导通
  • 栅极电荷 (Qg): 最大 180nC @ 10V,较低的栅极电荷值意味着更快的开关响应
  • 输入电容 (Ciss): 12800pF @ 25V,良好的输入特性使得控制驱动电路设计变得更为简便
  • 功率耗散 (Pd): 最大 315W (T_c),确保了元件在高温工作下的稳定性与可靠性
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C,确保在极端温度条件下也能正常工作

3. 封装与安装

STH310N10F7-6 采用 H2PAK-6 封装形式,兼容 TO-263-7 和 D²Pak 格式的特殊型式。这种表面贴装封装设计不仅提供良好的散热性能,还能够减少电路板空间的占用,适合空间受限的应用场景。

4. 应用领域

  • 电源管理: 在各种 DC-DC 转换器中,STH310N10F7-6提供了高效的开关过程,减少功率损耗,提高系统整体效率。
  • 电动机驱动: 在电动机控制电路中,可靠的高电流处理能力和低导通电阻确保了高效、安全的电机驱动。
  • 谐振变换器: 适合在高频开关电源领域使用,具有很好的动态性能和耐压能力。
  • 电源适配器: 在高效能的电源适配器中,它的高功率耗散能力和低噪声特性使得适配器在高负载下保持稳定。
  • 工业应用: 在工业设备和高能效的电气设备中,提供高可靠性和功率密度。

5. 性能优势

  • 低导通电阻: 这使得设备在工作时发热量减少,延长元件和整个电路的使用寿命。
  • 高耐压能力: 适用于需要高电压条件的应用,能够有效避免击穿风险。
  • 快速开关能力: 集成的低栅极电荷特性和适应性强的工作温度范围使得该 MOSFET 在高速开关电源中表现优异。
  • 广泛的工作环境适用性: -55°C 至 175°C 的温度范围确保其在极端而苛刻的操作环境中也能保持优良的性能。

6. 总结

STH310N10F7-6 不仅拥有优秀的电气和热性能,而且其高功率和高电压特性极大地满足了现代电子电路中对效率、可靠性和空间利用率的要求。它在电源管理、电动机驱动及高效能开关电源领域具有广泛的应用前景,是设计工程师们值得信赖的重要电子元件选择。