型号:

PZTA56

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223-4
批次:-
包装:-
重量:0.202g
其他:
-
PZTA56 产品实物图片
PZTA56 一小时发货
描述:三极管(BJT) 100@100mA,1V 1W 500mA PNP SOT-223-3
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最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.653
4000+
0.606
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,1.0V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

PZTA56 产品概述

PZTA56是一款由ON Semiconductor(安森美)制造的高性能PNP型三极管,其主要应用于各类电子电路中作为开关和放大器使用。该器件采用SOT-223-4的表面贴装封装,使其在空间受限的应用场合提供灵活的解决方案。其设计重点在于兼具高效性能与宽广的操作温度范围,使其适合于各种工业和消费类电子设备。

关键参数

  1. 电气特性

    • PZTA56的集电极电流(Ic)最大值为500mA,能够处理相对较高的电流负载,适应不同需求的电路设计。
    • 该三极管具有优越的电流增益特性,最小DC电流增益(hFE)为100,工作条件为100mA的集电极电流和1V的集射极电压。这使得PZTA56在小信号应用中能够提供理想的增益,增强信号处理能力。
    • 在其饱和状态下,PZTA56的Vce饱和压降(最大值)为200mV,分别在10mA和100mA的Ib条件下测试。这一低压降特性使得该三极管在输出信号时能够有效减少功耗,提高整体电路的效率。
  2. 击穿电压与功率等级

    • PZTA56的集射极击穿电压(Vce)最大值为80V,能够处理比较高的电压环境,在设计中提供了更大的设计灵活性。同时,其最大功率达到1W,意味着在适当的散热条件下,能够稳定地工作于较高的功率水平。
  3. 频率响应

    • 此三极管设计的频率响应高达50MHz,适用于频繁切换的应用场合,能够满足大多数高速信号处理的需求。
  4. 工作温度范围

    • PZTA56工作温度范围为-55°C到150°C(TJ),这一特性使其在严苛的环境中也能稳定工作,特别适合汽车、航空以及军事等领域的应用。

封装与安装

PZTA56采用SOT-223-4的封装形式,便于表面贴装(SMT)工艺应用,减小PCB占用空间,提高了设备的集成度。该封装结构的设计使得该器件在散热方面具备较好的性能,进一步支持高功率应用。

应用领域

PZTA56适用于多种应用,如:

  • 开关电路:在低功耗驱动电路中作为开关使用,适用于LED驱动、电机控制等。
  • 放大器电路:在音频、信号放大器中提供高增益,能够接收并放大微弱信号。
  • 线性调节器:可用作线性电压调节器的一部分,为负载提供稳定输出。

结论

综上所述,PZTA56是一款高性能的PNP型三极管,具备优异的增益、低的饱和压降和良好的频率响应,同时具有宽广的工作温度和可靠性,适合广泛的应用领域。它的设计不仅关注电气性能,也考虑到封装形式对整体电子设备设计的影响,使其成为工程师在开发新产品时的理想选择。无论是用于基本的开关操作,还是在复杂的信号处理模块中,PZTA56都展示了强大的适应能力和出色的性能表现,将为用户带来可靠的使用体验。