FQP6N90C

FQP6N90C 产品概述

一、基本信息

FQP6N90C 是一种高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），具有出色的电气特性和广泛的应用场景。这款元器件由安森美（ON Semiconductor）制造，采用 TO-220-3 封装，其最大漏源电压（Vdss）为 900V，适用于中高压开关电源、逆变器和其他需要高电压操作的应用。

二、主要参数

• 漏源电压 (Vdss): 900V，能够承受高电压环境，适合工业级和高压电路设计。
• 电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc），在高温条件下仍能维持稳定运行，满足大电流应用需求。
• 驱动电压: 最大 Rds on 在 10V 时表现优异，具备较低的导通电阻（最大 2.3Ω @ 3A，10V），保证了良好的功率转换效率。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 5V @ 250µA，确保其在适当的驱动电压下能够迅速导通，降低开关损耗。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 40nC @ 10V，意味着在驱动时具有良好的动态特性，适合高频开关应用。
• 输入电容 (Ciss): 在25V下最大值为 1770pF，为设计时的频率响应和开关速度提供保障。
• 功率耗散: 最大值为 167W（Tc），允许在较高功率环境下运行而不失效，适合电源模块和电机驱动。
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ），宽温度范围使其能在极端工作环境中稳定工作。

三、应用场景

FQP6N90C MOSFET 被广泛应用于：

1. 开关电源：其高电压、高电流特性，使得其在电源管理及高效能变换器中非常优越。
2. 逆变器：尤其适用于太阳能逆变器和UPS系统，凭借其高功率承载能力和效率，可以有效提升系统的整体性能。
3. 电动机驱动：适合于对性能要求较高的电动机驱动电路，提供更好的控制与功率输出。
4. 功率放大器：其低导通电阻和良好的热管理能力，使得在音频和射频放大器中表现出色。
5. 电力电子转换器：在电能转换及电力调度的各种应用场景中，该MOSFET的高效特性使其成为核心元器件。

四、封装与安装

FQP6N90C 采用 TO-220-3 封装，具有良好的散热特性，适合通孔安装。其设计考虑到多重散热，确保在长时间运行及高功率工作条件下巨大的热量不会导致器件失效。设计师可通过此封装有效地管理温度，延长设备的使用寿命。

五、总结

FQP6N90C N 通道 MOSFET 是一款在高压应用中表现卓越的半导体元器件。其高达 900V 的漏源电压、6A 的连续漏极电流以及167W 的功耗特性，使其在电源管理、逆变器及电机驱动等多个领域都具备广泛的适用性。在选择高效率、低损耗及可靠性的电子元器件时，FQP6N90C 是一个理想的解决方案。