型号:

IS42S32800J-7BLI

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:90-TFBGA(8x13)
批次:-
包装:托盘
重量:-
其他:
IS42S32800J-7BLI 产品实物图片
IS42S32800J-7BLI 一小时发货
描述:DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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最小包:240
商品单价
梯度内地(含税)
1+
35.13
240+
34.17
产品参数
属性参数值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM
存储容量256Mb (8M x 32)
存储器接口并联
时钟频率143MHz
访问时间5.4ns
电压 - 供电3V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳90-TFBGA
供应商器件封装90-TFBGA(8x13)

IS42S32800J-7BLI 产品概述

1. 产品简介

IS42S32800J-7BLI 是一款来自美国芯成(ISSI)的高性能256Mb SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。它具备8M x 32的存储格式,能够以更快的速度传输数据,满足现代电子设备日益增长的数据处理需求。该产品尤其适用于需要快速存取速度和高带宽的应用场景,如网络设备、图像处理、消费电子和工业设备等。

2. 基本参数

  • 存储器类型: 易失性(Volatile Memory):SDRAM在断电时会失去存储的数据,因此非常适合需要快速读写且不要求长期保存数据的应用。
  • 接口类型: 并行接口,支持多位宽数据传输,适合多数据通道的应用。
  • 存储容量: 256Mb(8M x 32),可提供高达32位宽的数据总线,这使得数据传输效率大幅提升。
  • 时钟频率: 143MHz,支持较高的数据传输速率,适合对速度要求较高的应用。
  • 访问时间: 5.4ns,快速访问能力,可有效提升整个系统的性能。
  • 电压要求: 3V ~ 3.6V,满足现代电子设备常见的供电需求。
  • 工作温度范围: -40°C ~ 85°C,适应广泛的工作环境,适合工业和汽车应用场合。
  • 封装形式: 90-TFBGA(8x13),扁平球栅阵列封装,适合表面贴装,便于实现高度集成和小型化设计。

3. 应用领域

IS42S32800J-7BLI 在多个领域有广泛的应用:

  • 消费电子: 包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备,提供所需的高存储速度和效率。
  • 网络设备: 适用于路由器、交换机和其他网络硬件,支持快速数据处理和传输。
  • 工业设备: 由于其宽广的工作温度范围,适用于恶劣环境下的工控设备。
  • 汽车电子: 在汽车信息娱乐系统、导航装置及其他车载设备中,提供实时数据处理能力。

4. 设计优势

IS42S32800J-7BLI 有不少设计优势:

  • 高性能: 得益于其高时钟频率和快速访问时间,能够为复杂数据处理提供支持。
  • 灵活性: 宽广的电压范围和工作温度使其适用于多种电源设计和环境,可以轻松融入各种应用系统。
  • 小型化封装: TFBGA封装有助于节省空间,并提高电路板的整体设计灵活性,适合现代电子设备的小型化趋势。

5. 总结

IS42S32800J-7BLI SDRAM芯片是一个将高性能与广泛适应性相结合的理想解决方案,适合多样化的应用领域。从消费电子到工业设备,它都能满足现代电子产品对存储器的高标准需求。随着互联网和物联网的发展,其在未来的市场需求预期将继续增长,成为众多产品设计的优选存储解决方案。