型号：
IPB60R180P7ATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-263-3(D2PAK)
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 72W 600V 18A 1个N沟道 TO-263-3
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.68
1000+
6.44
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 280µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）72W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
漏源电压（Vdss）600V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1081pF @ 400V
产品概述：IPB60R180P7ATMA1（Infineon CoolMOS™ P7系列）
1. 产品背景
在现代电子设计中，功率管理是一个至关重要的方面，尤其是在需要高效能和高可靠性的应用中。Infineon Technologies 的 CoolMOS™ P7 系列 MOSFETs 旨在满足这些需求，特别适用于负责高电压、高功率的换流、逆变和整流等场合。IPB60R180P7ATMA1 是这一系列中的一个重要型号，以其出色的性能规格，成为广泛应用于各类电源变换器、工业设备及汽车电子等领域的理想选择。
2. 关键参数与特性
- 制造商与系列: IPB60R180P7ATMA1 是由 Infineon Technologies 设计和生产，属于 CoolMOS™ P7 系列。
- 型别: 这是一款 N 通道 MOSFET，适用于需频繁开关的高电压场合。
- 电气性能:
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，其设计可承受最高 18A 的连续电流，确保在高负载时的稳定性。
- 导通电阻（Rds On）: 在 10V 的栅极驱动电压下，其最大导通电阻为 180 毫欧（@ 5.6A），显著降低了在导通状态下的能量损耗，并提高整体效率。
- 漏源电压（Vdss）: 本产品的额定漏源电压为 600V，使其能够有效应对高电压环境，并具备良好的安全边际。
3. 工作温度范围与功率管理
IPB60R180P7ATMA1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应广泛的工作环境。其最大功率耗散值达 72W（在集成温度 Tc 条件下），使其能够在严苛条件下长期稳定运行。高温环境下的可靠性和安全性是设计关键考虑因素，特别是在工业电源和汽车应用中。
4. 栅极驱动特性
- 驱动电压: 此 MOSFET 的栅极最大驱动电压为 ±20V，确保了与各种驱动电路的兼容性。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 该产品的最大阈值电压为 4V（@ 280µA），表明在较低的栅极电压下即可开启，增加了设计的灵活性与控制的精确性。
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 栅极驱动下，其最大栅极电荷为 25nC，确保了快速开关速度，降低了开关损耗。
5. 封装与安装类型
IPB60R180P7ATMA1 采用表面贴装的 D²PAK（TO-263-3）封装，具备良好的散热能力和空间效率，非常适合于密集的电路板设计。此外，该封装形式确保了在安装和焊接过程中的可靠性。
6. 应用场景
IPB60R180P7ATMA1 的特性使其非常适合用于：
- 开关电源（SMPS）
- 汽车电源管理系统
- 太阳能逆变器
- 电机控制和驱动器应用
- 工业电源和设备
- UPS（不间断电源）
7. 结束语
综上所述，IPB60R180P7ATMA1 是一款高性能、高可靠性的 N 通道 MOSFET，具备 600V 的高耐压能力和 18A 的连续电流承受能力，广泛应用于各类高功率电子设备中。凭借 Infineon 创新的 CoolMOS™ P7 技术，该产品可以有效提升系统的能效和运行稳定性，在当今对环保和能效日益重视的科技环境下，IPB60R180P7ATMA1 无疑是工程师们的优选方案。