BUK765R0-100E,118

产品概述：BUK765R0-100E,118 N沟道MOSFET

BUK765R0-100E,118 是由Nexperia USA Inc.生产的一款高性能N沟道MOSFET，隶属于其汽车级产品系列。该系列产品符合AEC-Q101认证标准，特别设计用于汽车及其他要求严格的应用场合。MOSFET的封装类型为D2PAK（TO-263-3），便于表面贴装，并适应现代电子设备中对空间和散热的要求。

关键性能参数

1. 额定电流与电压：

   • 连续漏极电流（Id）: 120A（在接合温度Tc情况下）。
   • 漏源电压（Vdss）：可以承受高达100V的电压，适合多种功率转换应用。

2. 导通电阻与功耗：

   • 在10V的栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻（Rds(on)）为5毫欧（@ 25A），这意味着在工作期间能够大幅降低电能损耗，提高系统效率。
   • 最大功率耗散能力为357W（Tc），在高负载情况下依然能够保持良好的散热性能，确保器件的稳定运行。

3. 门极驱动特性：

   • 较高的Vgs(th)（最大值4V @ 1mA）和最大栅源驱动电压（Vgs ±20V），使得该MOSFET能在相对较低的驱动电压下实现开关控制，方便与各种驱动电路兼容。
   • 栅极电荷（Qg）的最大值为180nC（@10V），确保其能够快速开关，有助于提升开关频率并减少开关损耗。

4. 频率响应与输入电容：

   • 输入电容（Ciss）最大值为11810pF（@ 25V），在高频应用中能够提供良好的动态响应和较小的信号延迟。

5. 工作温度与环境适应性：

   • 该器件的工作温度范围非常广泛，从-55°C至175°C，能够在高温环境下稳定运行，适合用于汽车发动机舱等极端环境条件。

应用领域

BUK765R0-100E,118 MOSFET适用于多种电子和汽车应用，包括但不限于：

• 直流电机控制
• 电源管理和转换器
• 开关电源(SMPS)
• 逆变器和功率放大器
• 自动驾驶车辆中的功率分配和管理

可靠性与高效性

作为一款经过严格测试的汽车级元器件，BUK765R0-100E,118不仅能提供高效的性能和可靠性，还对环境和温度变化具有很好的适应能力。它的设计减少了在负载条件下的热损耗，能够有效提升整体工作效率与延长系统寿命。这使得该MOSFET在需要高可靠性和高效性能的应用中显示出其独特的价值。

总结

BUK765R0-100E,118 N沟道MOSFET凭借其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，是高功率体育电路设计的理想选择。无论是汽车电子、工业控制还是其他高性能应用，该器件都能够显著提升系统整体的效率和稳定性。其优异的导通性能及散热能力，使其在竞争激烈的市场中具备了强大的竞争优势，是现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。