型号:

BC869,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-89-3
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
BC869,115 产品实物图片
BC869,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.2W 20V 1A PNP SOT-89-3
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1000+
0.475
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)1.35W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)85@500mA,1V
特征频率(fT)40MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

BC869,115 产品概述

一、产品简介

BC869,115是一款在小型化电子设备中广泛应用的PNP型晶体管。其封装为SOT-89-3,专为表面贴装设计,适合于高密度电路板布局。作为一款高性能的双极型晶体管(BJT),BC869,115能够支持较大的集电极电流(Ic)和高电压等级(Vce),因而在多个工业和消费应用中展现了其卓越的性能和可靠性。该器件由知名半导体制造商安世(Nexperia)提供,广泛应用于音频放大、开关电源、信号放大及其他模拟电路中。

二、主要技术参数

  1. 电流与电压

    • 集电极电流 (Ic): 最大值为1A,支持较大负载的驱动能力,适合在强电流应用环境中使用。
    • 集射极击穿电压 (Vceo): 最大为20V,适合多种电源电压应用,保证安全的工作范围。
  2. 驱动特性

    • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降: 最大值为500mV @ 100mA 和1A,确保在高负载情况下仍保持较低的功耗和热量产生。
    • 静态集电极电流 (ICBO): 最大值为100nA,表明该晶体管在无偏情况下表现出极低的漏电流,进一步增强了其能效。
  3. 增益特性

    • DC电流增益 (hFE): 在500mA、1V的条件下,最小值为85。该特性确保BC869,115在不同工作条件下,能够有效放大输入信号,是解决信号弱小问题的理想选择。
  4. 功率与频率

    • 最大功率: 1.2W,表明其在高功率环境下仍可长时间稳定工作。
    • 跃迁频率: 高达140MHz,适合高速信号处理,满足高速开关和放大应用需求。
  5. 温度特性

    • 工作温度: 可达到150°C(TJ),适应严苛的工作环境,提高了器件的适应能力和可靠性。
  6. 安装与封装

    • 安装类型: 表面贴装型,适合现代小型电子设备的需求,易于自动化组装。
    • 封装/外壳类型: TO-243AA、SOT-89,这些高密度封装方式有助于减小电路板的占用面积。

三、应用场合

BC869,115广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 音频放大:可在音频设备中作为放大器用于提升信号质量。
  • 开关电源:适用于高频开关电路,作为开关元件,提高能量转换效率。
  • 信号处理与放大:在不同的模拟电路中,BC869,115可提升微弱信号至可处理水平。
  • 消费电子产品:如手机、电视机等电子消费品中,作为基础的信号放大和开关元件。

四、总结

BC869,115是一款高性能的PNP晶体管,凭借其优越的电流流动能力、低饱和压降、较高的频率响应能力以及宽广的工作温度范围,可以满足当前市场对高效、低功耗电子元器件的需求。其小巧的SOT-89-3封装和卓越的电气性能,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一,帮助工程师和设计师们创造出更智能、更高效的产品。