型号:

DMC2038LVTQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:TSOT26
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
DMC2038LVTQ-7 产品实物图片
DMC2038LVTQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 800mW 20V 3.7A;2.6A 1个N沟道+1个P沟道 TSOT-23-6
库存数量
库存:
4330
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.667
3000+
0.62
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)168mΩ@1.8V,2.0A
功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)705pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

DMC2038LVTQ-7 产品概述

1. 产品简介

DMC2038LVTQ-7 是一款高性能的场效应管(MOSFET),其设计采用了N沟道和P沟道的互补型结构,专门用于表面贴装应用,符合现代电子设备的小型化和高效率需求。封装采用 TSOT-23-6,具有优良的热性能和电气特性,适合在多种电子电路中使用。

2. 主要特性

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),方便在自动化生产线上使用,适应现代 SMT(表面贴装技术)要求。
  • 导通电阻:在不同的电流和栅源电压下,DMC2038LVTQ-7 显示出卓越的导通电阻性能,最大值为35毫欧(4A,4.5V),74毫欧(3A,4.5V)。这意味着它具有较低的热损耗,高效地传输电流。
  • 电流能力:产品在25°C环境下可支持连续漏极电流(Id)达到3.7A(Ta)和2.6A(Ta),使其能够在各种应用环境中稳定工作。
  • 逻辑电平驱动:对于低电压驱动的需求,这款MOSFET支持1.8V的栅极驱动,特别适合现代低功耗电路设计。
  • 工作温度范围:从-55°C到150°C的工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠性,适用于航空航天、汽车和工业控制等严苛场景。
  • 功耗:最大功率可达800mW(Ta),在维持高效能的同时,确保器件在高负载下不易过热。
  • 输入电容:在不同漏源电压(Vds)的情况下,输入电容(Ciss)在530pF(10V)到705pF(10V)之间,反映出器件的开关特性。

3. 典型应用

由于其出色的电气特性,DMC2038LVTQ-7广泛应用于各种电子领域,包括但不限于:

  • 电源管理:在DC-DC转换器中作为开关元件有效调节电流,提升能源转化效率。
  • 信号开关:用于低功耗的信号开关应用,在便携式设备及仪器中具有重要应用。
  • 音频设备:可用于音频放大器的输出级,增强信号传输质量。
  • 汽车电子:在各种汽车控制单元中,利用其良好的热稳定性和电流能力,确保高效能的运行。

4. 结论

DMC2038LVTQ-7 作为DIODES(美台)推出的一款先进的MOSFET,凭借其优越的性能参数和广泛的适用性,已成为多种电路设计的重要组成部分。无论是在高效的电源管理,还是在高要求的工业和汽车电子应用中,该元件都提供了出色的解决方案,是现代电子设计领域中不可或缺的关键器件。

对于设计师和工程师来说,DMC2038LVTQ-7不仅提升了电路的整体性能,也提高了系统的可靠性,适用于各种高效、低功耗的电子设备。因此,选择合适的MOSFET将有助于优化整个电路的设计,进而推动电子技术的不断前进与发展。