型号:

DMN2055UW-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN2055UW-13 产品实物图片
DMN2055UW-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 520mW 20V 3.1A 1个N沟道 SOT-323
库存数量
库存:
9850
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.572
100+
0.394
500+
0.358
2500+
0.332
5000+
0.311
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@4.5V,3.1A
功率(Pd)520mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)400pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)37pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DMN2055UW-13

概述

DMN2055UW-13 是由 DIODES(美台)推出的一款高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),该器件设计用于需要高效率和小型化的电子应用。它具有520mW的功耗阈值、最高工作电压20V以及最大电流能力为3.1A,广泛适用于电源管理、信号开关和低压应用等场景。该 MOSFET 采用了 SOT-323 封装,使其在尺寸受限的情况下仍能提供优异的性能。

关键参数

  • 类型:N 沟道 MOSFET
  • 功率额定值:520mW
  • 最大工作电压:20V
  • 最大漏极电流:3.1A
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  • 封装类型:SOT-323
  • 管脚数量:3 通常为漏极(D)、源极(S)和栅极(G)

功能特点

  1. 高效能:DMN2055UW-13 的设计使其在开关频率较高的情况下,仍能保持较低的导通电阻(R_DS(on)),从而减少待机功耗和散热问题。这使其成为高效电源电路的理想选择。

  2. 小型化设计:SOT-323 封装的体积小巧,适合于需要空间优化的设计应用,尤其是在便携式设备和消费类电子产品中,DMN2055UW-13 能够大幅降低电路板的占用空间。

  3. 良好的热性能:该器件能够在高温环境下稳定运行,并具有出色的散热性能。其封装设计和材料选择确保了在连续长时间使用情况下不易出现热失控现象。

  4. 可信赖性:DIODES 品牌一直以来以品质和稳定性著称,DMN2055UW-13 经过严格的测试和认证,适用于要求严格的工业和消费市场。

应用领域

DMN2055UW-13 MOSFET 的应用广泛,主要包括但不限于以下几个领域:

  • 电源管理:可以用于开关电源、线性电源和各种类型的 DC-DC 转换器。其高电流和低导通电阻使得它能够高效地控制电源传输。

  • 便携式电子设备:因其小尺寸和低功耗特性,适合用于各类便携式设备如手机、平板电脑及其他移动设备的电源管理模块。

  • 电机控制:在小型电机驱动电路中,DMN2055UW-13 可用于实现高效的电源开关,提升电机控制系统的整体能效。

  • LED 驱动电路:适合用于 LED 照明应用中,可以用作驱动和调光控制,帮助优化LED的能效。

结论

DMN2055UW-13 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,凭借其高效能、小型化设计和可靠性,为现代电子设备提供了理想的解决方案。其广泛的应用领域与卓越的性能,使其成为设计工程师的首选器件之一。无论是在电源管理、便携设备还是其他高效能要求的应用中,DMN2055UW-13 都能够发挥出色的价值和效能。随着科技的发展与电子产品日益向小型化、低功耗迈进,DMN2055UW-13 的市场需求只会逐步增加,为满足不断变化的市场需求而不断创新与提升。