型号:

DMN3401LDW-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN3401LDW-7 产品实物图片
DMN3401LDW-7 一小时发货
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.584
200+
0.377
1500+
0.328
3000+
0.29
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@10V,0.8A
功率(Pd)290mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)50pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)10pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMN3401LDW-7 产品概述

一、基本介绍

DMN3401LDW-7 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道绝缘栅场效应管(MOSFET),适用于各种电子电路中,具有出色的性能和可靠性。该产品主要用作开关和放大应用,尤其在要求较高的电压和电流条件下表现优异,是现代电子设备不可或缺的关键元件。

二、关键规格

  • FET 类型:双 N-通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss):最大30V
  • 连续漏极电流 (Id):在25°C时可达800mA
  • 导通电阻 (Rds(on)):最大400毫欧,测试条件为590mA,Vgs = 10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为1.6V,测试条件为250µA
  • 栅极电荷 (Qg):最大值1.2nC,Vgs = 10V
  • 输入电容 (Ciss):最大值50pF,测试条件为15V
  • 功耗 (Pd):最大290mW
  • 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 150°C
  • 封装:SOT-363

三、产品特点

  1. 高效能:DMN3401LDW-7 具有低的导通电阻,允许在较高电流下工作而不会产生过多的热量,从而提高整体电能效率。这使得它在电源管理、马达驱动和开关电源中能够有效降低功耗和温升。

  2. 宽广的工作温度范围:该器件支持从-55°C到150°C的广泛工作温度,能够在苛刻的环境条件下稳定工作,适用于汽车、工业控制等需要耐高温和低温性能的应用。

  3. 小型封装:封装类型为SOT-363,这种表面贴装型设计使得它在空间有限的电路板上非常适用,能够减小整体产品体积并增加设计灵活性。

  4. 优良的开关性能:具有低的栅极电荷和输入电容,保证其在高频开关应用中的快速响应能力,使其非常适合高频率的开关电源和信号处理应用。

四、应用场景

DMN3401LDW-7 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源,以及便携式电子设备的电源管理系统。
  • 电机驱动:在电机驱动和调速系统中,作为开关元件控制电机的启动与停止。
  • 通信设备:高频应用中,如通信接口和信号处理路径,可实现高效的开关功能。
  • 汽车电子:作为汽车电子系统中的开关元件,包括电气控制单元和灯光控制系统,确保长期稳定的工作状态和安全性。

五、总结

作为一款高性能的双 N-通道 MOSFET,DMN3401LDW-7 在多个领域中拥有广泛的应用潜力。凭借其优异的电气特性和可靠的工作性能,适合用于各种要求严格的电子产品开发中。选择DMN3401LDW-7,能够帮助企业提高产品的能效和可靠性,下降整体成本,是开发者和工程师们极佳的选择。